Linköping大学的研究者已评估了HVPE法生长出的材料质量。他们使用原子力显微镜观察同一生长环境下、生长在GaN-on-sapphire模板上的250 µm厚及2mm厚GaN层。GaN厚度的增加造成了生长形态的改变，但并未影响GaN膜的光滑度。均方根值（对一10 × 10 µm扫描尺寸）保持在3nm，波峰到波谷的高度则保持在10-15nm。表面粗糙度缺乏变化反应出材料的质量并未受生长的影响。额外的GaN生长降低了外延层的缺陷密度，将腐蚀坑密度（etch pit density）从250µm厚的2 × 106 cm–2降到了2mm厚的5 × 105 cm–2 。这意味着更厚的梨形晶体不仅可产出更多的晶片，还能进一步减少材料的缺陷密度。
这一设计包括悬挂在反应室顶部的种晶架（seed holder）和位于底部的进气口（gas inlet）。由于有鞘流（sheath flow），氯化镓和氨气气体在未到达生长区之前是相互分离的，并有墙壁净化气体防止材料在反应室内壁上沉积。两个独立的射频加热器为反应室供热，石墨加热器元件将热量有效地传递给Ga源和生长区。通过反应室顶部及底部的门可完成资源补充、培养种晶和收获梨形晶体。而温度保持在340摄氏度以上、经特殊设计的排气集管可将氢气、氯化氢、氯化氨等副产品从反应室中即刻移走，使氯化氨在到达一个指定的大容量过滤装置（位于反应室下游很远）时才形成粉尘。凭借这一设计，保持几天的持续生长是有可能的。
（http://compoundsemiconductor.net/cws/article/magazine/31170）
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