德国欧司朗光电半导体（OSRAM Opto Semiconductors GmbH）开发出1A驱动时光通量为191lm、发光效率48lm/W、波长为527nm的绿色LED，并在美国拉斯韦加斯举行的“ICNS-7”（2007年9月16～21日）展会上发表（演讲序号:D1）。芯片尺寸为1mm见方。350mA驱动时光通量为100lm、发光效率为81lm/W、波长为532nm。此外，还试制了芯片尺寸为460μm×255μm，20mA驱动时发光效率为107lm、振荡波长为532nm的产品。这两种产品均比该公司原有产品亮度更高。设想作为LED投影机等影像显示设备的光源。
此次通过改善“Droop”现象等提高了亮度。Droop是指蓝色LED、绿色LED等将InGaN作为发光层的LED在提高输入电流密度时发光效率出现下降的现象。（记者:根津 祯）
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