乔治亚州技术研究所半导体中心的Russell D.Dupuis教授介绍了高亮绿光LED的应用，以及他的绿光LED的最新研究成果：通过改善绿光LED w/ p型氮化镓铟空穴注入和联系层的电特性、发射特性和IQE，对绿光LED瓦特/ p型的InGaN的形态控制，在LED的qwb 掺入Si的影响：例如排放强度下降、正向电压下降、和空穴传输阻断效果显着——特别是对于绿光LED。