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以抛光工艺去除蓝宝石衬底的垂直结构氮化镓基LED芯片 | |
时间:2009-10-16 15:32:57 来源:中国半导体照明网 作者: 浏览 | |
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香港应用科技研究院LED/材料和封装技术部LED器件组主管袁述在2009年10月15日至16日举办的“材料、器件与设备分会”上做了题为《以抛光工艺去除蓝宝石衬底的垂直结构氮化镓基LED芯片》的报告,袁述在该报告中介绍了一种抛光蓝宝石的新方法,适用于垂直氮化镓LED芯片的制造,厚铜被用作一种新型衬底。蓝宝石完全被去除,部分0.5 - 2.0微米厚的未掺杂GaN层被去除,而且,1mm x 1mm的LED芯片用于生产。外延片被机械切割成小方块。芯片采用标准的大功率LED封装。 | |
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