随着半导体照明产业的迅猛发展以及LED技术及产品的广泛应用，支撑LED光电器件的核心材料氮化镓(GaN)以及碳化硅(SiC)等宽禁带化合物为代表的第三代半导体材料技术及应用正在成为全球半导体产业新的战略高地。
半导体照明是第三代半导体技术所实现的第一个突破口，如今LED发光技术的进步现已突破传统的照明概念，并已开拓、发展LED发光新技术领域。沿长波方向，已从蓝光拓宽到绿光、黄光、红光，发展“超越照明”，开拓在生物、农业、医疗、保健、航空、航天和通信等领域应用;沿短波方向，现已发展高效节能、环境友好、智能化的“紫光光源”，期望逐步取代电真空紫外光源，引领紫外技术的变革，开拓紫光应用广阔领域。
有数据显示，紫外线LED应用于光固化市场产值2021年将达1.95亿美元， 2020年紫外线LED光固化模组的渗透率将来到50~60%。紫外LED杀菌与净化应用的市场产值2021年将达2.57亿美元。应用的发展离不开技术的支撑，第三代半导体又将如何拥抱固态紫外市场？
2016年11月15日至17日， 2016中国(北京)跨国技术转移大会暨第三代半导体国际论坛（以下简称“跨国技术转移大会”）将在北京国际会议中心召开。此次跨国技术转移大会，由中国科技部与北京市人民政府主办，将覆盖众多科技、产业创新热点领域。同期还将举办第十三届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA2016）。其中，大会围绕第三代半导体的前沿发展和技术应用设置了包括第三代半导体与固态紫外器件、碳化硅电力电子器件、氮化镓及其它新型宽禁带半导体电力电子器件技术等多个专场分会重点讨论。
为了360度全方位保证分会的高水准，分会采用召集人+主席+分会团的模式，兼顾产学研，每一环节都有超强专家的鼎力支持。目前第三代半导体与固态紫外器件分会阵型渐露，看点十足。
分会召集人由中科院苏州纳米所研究员、博士生导师、纳米测试中心主任，苏州纳维科技有限公司董事长，中组部国家千人计划、国家杰出青年基金获得者徐科和中科院半导体研究所所长助理、研究员张韵担任。
徐科长期围绕高质量氮化物半导体材料生长及相关生长装备和测试分析仪器的研究与研发。对氮化物半导体的MOCVD和MBE生长机理、氮化物的极性选择、极性控制有系统深入研究，阐明了极性对氮化铟(InN)生长的特殊影响；近年来重点开展极低位错密度GaN和AlN单晶材料的氢化物气相外延(HVPE)生长研究，完成2～4英寸氮化镓单晶衬底技术开发，并实现量产；开展了纳米尺度空间分辨的综合光电测试技术与装备研制，研究了氮化物材料中单个缺陷并探索氮化物低维结构的新奇物性。发表SCI论文80余篇，申请专利50项，国际会议特邀报告20余次。现任科技部新材料领域纳米主题专家，国家纳米技术标准委员会委员，中国电子学会高级会员、电子材料分会副主任委员，光学学会光学材料委员会委员。
张韵曾在美国高平（Kopin）半导体公司III-V部门从事研发工作，具备多年GaN、GaAs基器件的设计、制造工艺及器件物理分析经验。2006年至2010年，参与完成与美国国防部先进研究项目局（DARPA）在深紫外光电探测器领域的项目“Deep Ultraviolet Avalanche Photodetectors(DUVAP)”， 及DARPA部署在可见光波段激光器领域的项目“Visible In GaN Injection Lasers(VIGIL)”。在光电子器件领域取得了丰硕成果的同时，在GaN基大功率电子器件方面也有丰富的经验和世界领先的成果。
分会外方主席由美国佐治亚理工学院教授Russell Dupuis担任，他于1977年开发并完善了金属有机化学气相沉积（MOCVD）过程，使高亮度LED实现生产，并且为现在高亮度LED、激光二极管、太阳能电池、高速光电设备的生产奠定了基础。由于其LED行业的杰出贡献，他于2015年被美国国家工程院授予查尔斯·斯塔克·德雷珀奖。
除了重量级的分会外方主席与召集人，分会力邀多位国内外的权威专家组成分会委员团，共同坐镇，为分会提供最坚实的支持。
其中，分会成员刘国旭，易美芯光（北京）科技有限公司执行副总裁，首席技术官，国家千人计划创新类人才。刘国旭曾先后就职于美国通用汽车电子部， 英特尔， 朗讯贝尔实验室（Bell Lab）， 北方电讯（Nortel），Luminus等多家国际知名企业，担任技术总监等职务，2009年回国联合创立了易美芯光。刘国旭在封装设计、工艺研发、系统集成及可靠性分析具有丰富的经验，参与并主持了多项具有重大影响的研发项目，多次受邀在知名的国际会议上发表演讲，曾获得权威学术会议优秀论文奖。他同时是国家科技部“863计划”半导体照明工程专家组成员，在国际知名杂志及学术会议上发表过40余篇专业论文, 并拥有30余项美国及中国专利。
分会委员陆海，南京大学教授，兼任南京微结构国家实验室（筹）主任研究员（PI），他师从美国工程院院士Lester Eastman教授，曾受聘于美国通用电气公司（GE）研发中心任高级研究员。陆海主要从事宽禁带半导体材料和器件研究，获得多项有影响力的成果。近年来重点开展GaN基高功率电子器件、深紫外探测器件、及新型氧化物透明薄膜晶体管研究。已发表学术论文两百余篇，其中包括SCI论文180余篇。2007年入选教育部新世纪人才支持计划；2008年获得国家杰出青年科学基金资助；2012年入选教育部长江学者特聘教授。
本次分会邀请设置了众多精彩报告，其中，分会外方主席、美国佐治亚理工学院教授Russell Dupuis，分会委员、南京大学教授陆海将联袂众多专家做特邀报告，全方位分享固态紫外器件方方面面的研究成果。
中科院半导体所研究员，博士生导师王军喜将带来与固态紫外器件相关的研究成果分享，王军喜主要研究方向为半导体照明氮化镓外延芯片材料生长研究及新型LED器件应用研究。在国内外高质量学术期刊上发表研究论文百余篇。在固态紫外器件领域，他及团队有着多年的研究积累，
台湾交通大学特聘教授郭浩中将带来其最新成果，郭浩中在在III-V光学设备/材料（砷化镓，磷化铟，氮化镓）有超过20年的研究经验。他发表过论文300余篇（6611总引用和38的H因子）。他曾担任2015年美国电子电气工程师协会(IEEE)会士，2012年美国光学学会(OSA)会士，2013年国际光学工程学会(SPIE)院士，2012年英国工程技术学会(IET)会士。
同时，北京大学教授王新强、青岛杰生电气有限公司技术总监武帅等众多来自产学研不同环节的精英嘉宾将从不同的角度分享固态紫外器件的最新研究成果。
第三代半导体材料所具有的独特性能，有望在这些领域突破传统半导体技术的发展瓶颈，开拓新技术应用, 包括诸如基于第三代半导体材料的LED、LD发光技术、功率电子技术、微波功率技术、TFT技术、紫外探测技术和 MEMS与传感技术等，技术发展大势及广阔的市场空间注定了其重要性和地位。欲把握第三代半导体的发展大势与机遇，我们11月15日，北京见！
参会报名、参会联系人
张女士
T：8610-82387380
M：13681329411
E：zhangww@china-led.net
贾先生
T：8610-82387430
M：18310277858
E：jiaxl@china-led.net
第十三届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2016）活动官网：http://www.sslchina.org/
2016中国(北京)跨国技术转移大会暨第三代半导体国际会议（IFWS）活动官网：http://www.ifws.org.cn/
