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越来越火,碳化硅材料与器件进展如何?

放大字体  缩小字体 发布日期:2017-10-10 11:14   来源:中国半导体照明网  作者:MAY  浏览次数:462
   作为一种新型的宽禁带半导体材料,碳化硅因其出色的物理及电特性,正越来越受到产业界的广泛关注。碳化硅电力电子器件具备更高的效率、更高的开关频率和更高的工作温度,在新能源发电、电动汽车等一些重要领域展现出其巨大的应用潜力。碳化硅电力电子器件的持续进步将对电力电子技术领域的发展起到重要的推动作用。

两会宣传图
  2017年11月1-3日,SSL国际系列论坛在中国地区的年度盛会--第十四届中国国际半导体照明论坛将在北京·顺义·首都机场希尔顿酒店隆重举行。作为半导体照明领域最具规模,参与度最高、口碑最好的全球性高层次论坛。本届论坛(SSLCHINA 2017)将以全新形式和主题亮相北京,并与国际第三代半导体论坛(IFWS2017)同期举行。
 
  2017国际第三代半导体论坛是第三代半导体产业在中国地区的年度盛会,是全球性、高层次的综合性论坛。本届会议由第三代半导体产业技术创新战略联盟和北京市顺义区人民政府主办,得到科技部,发改委,工信部,北京政府等相关部门大力支持。会议以促进第三代半导体与电力电子技术、移动通信技术、紫外探测技术和应用的国际交流与合作,引领第三代半导体新兴产业的发展方向为活动宗旨,设有“碳化硅材料与器件”、“氮化镓功率电子器件”、“SiC/GaN电力电子封装、模块与可靠性”、“第三代半导体与微波射频技术”、“第三代半导体与固态紫外器件”、“超宽禁带半导体及其它新型半导体材料”六场专题技术分会。全面覆盖行业基础研究、衬底外延工艺、电力电子器件、电路与模块、下游应用的创新发展,提供全球范围的全产业链合作平台。
 
  其中“碳化硅材料与器件”分会,涵盖SiC衬底、同质外延和电力电子器件技术。分会广泛征集优秀研究成果,将邀请国内外知名专家参加本次会议,充分展示碳化硅材料及电力电子器件技术的最新进展。据组委会透露,目前碳化硅电力电子器件技术专场分会,阵型已渐露阵容,大腕云集,看点十足。
 
  浙江大学教授、博士生导师盛况将领衔担任分会主席。他主要从事电力电子器件及电力电子集成电路领域的研究,主持国家863项目、国家科技重大专项项目、国家自然基金项目,以及其他省部级项目等近10项。2002-2009在美国Rutegers大学(即新泽西州大学)任教;2009年被评为教育部长江学者,担任浙江大学电气工程学院特聘教授。2010年入选浙江省千人计划;2012年入选“十二五”863计划先进能源技术领域新型电力电子关键技术主题专家。
 
  分会委员团队同样星光熠熠,力邀多位国内外的权威专家共同坐镇。分会成员徐现刚,山东大学教授,师从于蒋民华院士。教育部长江计划的特聘教授, 973首席科学家。主要从事半导体材料制备及其应用研究的工作。自1989年至今一直从事MOCVD化合物半导体薄膜材料的生长及器件应用工作,制备出多种量子异质结构材料,应用到多种半导体器件如:半导体激光器、发光二极管等。自2000年开始SiC单晶生长和加工工作,先后突破了2~6英寸SiC单晶的生长与衬底加工技术,解决了超硬SiC单晶衬底的加工难题,制备出基于SiC衬底的GaN超高亮度发光二极管。先后承担了多项863、973、国家重大专项等课题。获得多项表彰和奖励,如1995年洪堡学者,1999年在美国获得由IEEE颁发的Best Paper Award,2000年获得“国家杰出青年基金”,2003年“山东省科技进步一等奖”、“山东省留学回国创业奖”,2005年获“山东省十大杰出青年”,2007年获“政府特殊津贴奖”,2013年获得“山东省技术发明一等奖”等。至今已发表超过150篇相关论文及会议报告。
 
  分会委员陈小龙,德国海德堡大学和巴洛意特大学洪堡学者。现任中科院物理研究所研究员,博士生导师。长期从事宽禁带半导体材料和新功能晶体材料探索方面的研究工作,先后主持国家863、973和国家科技支撑计划等23个科研项目,取得了多项研究成果。系统开展了碳化硅晶体生长的基础和应用开发研究工作,解决了多项关键科学问题和系列关键技术,生长出2-4英寸高质量晶体;攻克了晶体制备重复性和稳定性等关键工程化问题,在国内率先实现了碳化硅晶体的产业化,碳化硅系列晶片批量供应国内用户,并出口至欧美和日本等发达国家,打破了国外的长期垄断,为发展我国宽禁带半导体产业奠定了基础。2003年入选中国科学院“百人计划”,2004年至今兼任中国晶体学会副理事长和国际衍射数据中心(ICDD)中国区主席,2007年获ICDD Fellow称号,2009年成为“新世纪百千万人才工程”国家级人选,2009年获第五届“发明创业奖”特等奖,作为负责人带领宽禁带半导体材料研究与应用团队获2010年度“中国科学院先进集体”荣誉称号。
 
  分会成员张玉明,西安电子科技大学微电子学院教授、院长,主要从事高性能半导体器件领域的研究工作,包括(1)高温高频大功率宽禁带半导体器件和材料(SiC);(2)模拟(射频)集成电路设计;(3)自旋电子学;(4)半导体器件模型和模拟;(5)半导体器件抗辐照加固技术等。他同时是国防科技重点学科“宽带隙半导体技术”重点实验室主任,全国重点学科微电子学与固体电子学博士导师,国际IEEE学会高级会员,IEEE-ED陕西分会主席。
 
  分会委员张安平, 西安交通大学电信学院教授,博士生导师,"千人计划"国家特聘专家,IEEE高级会员。1993年获清华大学工学学士, 1996年在中科院研究生院获工学硕士,2001年在美国佛罗里达大学获博士学位。曾任美国EMCORE公司研究工程师,2001年5月起任美国通用电气公司研究中心资深科学家和项目负责人,分会委员柏松,宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室主任、中国电子科技集团公司第五十五研究所研究员。他一直致力于SiC器件的研发,在国内首先实现了击穿电压超过10kV的SiC肖特基二极管和SiCPiN二极管,在高压SiC JFET和SiC MOSFET技术开发方面也取得了重要成果。负责承担和完成多项国家科技重大专项、高技术研究发展计划等重大科研项目,申请发明专利17项,其中授权8项,曾获国防科技进步一等奖一项。
 
  分会委员王德君,大连理工大学教授,博士生导师(微电子学与固体电子学、电路与系统)。王德君教授现在的研究方向包括半导体SiC、GaN、石墨烯材料与器件科学,功率芯片、传感器芯片设计制造及应用,和集成电路技术。近五年,指导研究生在国际顶级学术期刊发表学术论文十余篇,培养的研究生多次获得博士生优秀论文单项奖学金和国家优秀学生奖学金。
 
  国内外的精英们齐聚一堂,众多高质量的精彩报告当然是少不了的。其中,荷兰代尔夫特理工大学教授、IEEE电力电子协会主席Braham FERREIRA 和美国Wolfspeed电力设备研究科学家Jon ZHANG将做特邀报告。Jon ZHANG先生目前是美国科锐旗下Wolfspeed的研究科学家,领导研发部门专注于当下及下一代碳化硅肖特基二极管和MOSFET的研发。他发明的新结构碳化硅肖特基二极管和新MOSFET结构显著优化了设备性能。
 
  超强的阵容组合,加上高质量的内容,本次分会将全方位呈现当前碳化硅电力电子器件的研究进展,技术进展如何?有哪些趋势?……相信你想知道的,都会有答案。11月,我们北京见!


会议网站:
 
SSLCHINA详情链接:http://www.sslchina.org/

IFWS详情链接:http://ifws.sslchina.org/
 

参会报名请联系:
 
张 女士
 
010-82387380
 
13681329411
 
zhangww@china-led.net
  
贾 先生
 
010-82387430
 
18310277858
 
jiaxl@china-led.net

许 先生
 
010-82387600 Ext 505
 
13466648667
 
xujh@china-led.net
 
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