应用前景向好第三代半导体固态紫外器件技术发展全面看

发布日期：2017-10-27 11:34 来源：中国半导体照明网作者：MAY 浏览次数：381

　　第三代半导体材料在紫外器件中具备其他半导体材料难以比拟的优势，展现出巨大的应用潜力。有数据显示，紫外线LED应用于光固化市场产值2021年将达1.95亿美元，2020年紫外线LED光固化模组的渗透率将来到50~60%。紫外LED杀菌与净化应用的市场产值2021年将达2.57亿美元。应用的发展离不开技术的支撑，第三代半导体又将如何拥抱固态紫外市场？

　　2017年11月1-3日，在科技部、发改委、工信部及北京政府等相关部门大力支持下，由第三代半导体产业技术创新战略联盟和北京市顺义区人民政府主办的2017国际第三代半导体论坛（IFWS 2017）将在北京·顺义·首都机场希尔顿酒店隆重举行。并与SSL国际系列论坛在中国地区的年度盛会--第十四届中国国际半导体照明论坛同期同地举行。

　　大会围绕第三代半导体的前沿发展和技术应用，设置了包括第三代半导体与固态紫外器件、碳化硅电力电子器件、氮化镓及其它新型宽禁带半导体电力电子器件技术等多个专场分会重点讨论。全面覆盖行业基础研究、衬底外延工艺、电力电子器件、电路与模块、下游应用的创新发展，提供全球范围的全产业链合作平台。

　　其中，第三代半导体固态紫外器件技术分会将重点关注以氮化铝镓、氮化镓为代表的紫外发光材料，以碳化硅、氮化镓为代表的紫外探测材料，高效量子结构设计及外延，以及发光二极管、激光器、光电探测器等核心器件的关键制备技术。分会还将涵盖紫外器件的先迚封装材料及技术，包括光提取、热管理及器件可靠性的提升方法。

　　分会面向全球广泛征集优秀研究成果，并将邀请多名国际知名与家参加本次会议，力图全面呈现第三代半导体紫外发光和探测领域在材料、器件、封装及应用等各层面的国内外最新迚展。

　　为了360度全方位保证分会的高水准，分会采用主席+分会团的模式，兼顾产学研，每一环节都有超强专家的鼎力支持。目前第三代半导体固态紫外器件技术分会阵型渐露，看点十足。

　　分会主席由北京大学物理学院教授、副院长，北京大学宽禁带半导体联合研究中心副主任沈波与中科院半导体研究所研究员张韵共同担任。沈波教授自1995年开始从事III族氮化物宽禁带半导体物理、材料和器件研究，1997年以来主要从事GaN基异质结构材料生长、二维电子气物性研究和高温功率器件研制，揭示了强极化、高能带阶跃体系中二维电子气输运规律，在氮化物异质结构生长和电子器件研制上取得重要进展。张韵目前科研重点是AlGaN/GaN基大功率高频／电力电子器件、AlGaN基深紫外波段光电子材料与器件等。

　　同时，分会力邀多位国内外的权威专家组成分会委员团，共同坐镇，为分会提供最坚实的支持。分会委员刘国旭，易美芯光（北京）科技有限公司执行副总裁兼首席技术官，国家千人计划创新类人才，国家科技部“863计划”半导体照明工程专家组成员。曾先后就职于美国通用汽车电子部，英特尔，朗讯贝尔实验室（Bell Lab），北方电讯（Nortel），Luminus等多家国际知名企业，担任技术总监等职务。刘国旭在封装设计、工艺研发、系统集成及可靠性分析具有丰富的经验。参与并主持了多项具有重大影响的研发项目，在国际知名杂志及学术会议上发表过40余篇专业论文, 并拥有30余项美国及中国专利。

　　分会委员陆海，南京大学教授，曾就职于美国通用电气公司（GE）。主要从事宽禁带半导体材料和器件研究，获得多项有影响力的成果。近年来重点开展GaN基高功率电子器件、深紫外探测器件、及新型氧化物透明薄膜晶体管研究。已发表学术论文两百余篇，其中包括SCI论文180余篇。

　　分会委员郭浩中，台湾交通大学特聘教授，曾担任2015年美国电子电气工程师协会(IEEE)会士，2012年美国光学学会(OSA)会士，2013年国际光学工程学会(SPIE)院士，2012年英国工程技术学会(IET)会士。在III-V光学设备/材料（砷化镓，磷化铟，氮化镓）有超过20年的研究经验，发表过论文300余篇。

　　除了强大的分会团阵容，本次分会邀请设置了众多精彩报告，全方位分享固态紫外器件方方面面的研究成果。其中，来自日本三重大学电气与电子工程系教授,日本三重大学区域创新研究所研究生院院长三宅秀人，日本理化学研究所量子光电设备实验室主任兼首席科学家Hideki HIRAYAMA，沙特阿拉伯阿卜杜拉国王科技大学电气工程系助理教授,先进半导体实验室首席研究员李晓航，以及来自北京大学、中科院半导体研究所、华中科技大学等国内外的精英嘉宾将从不同的角度分享固态紫外器件的最新研究成果。

　　三宅秀人教授现任日本三重大学电气与电子工程系教授,日本三重大学区域创新研究所研究生院院长。他现在的研究课题主要为半导体工程、结晶生长和光电。

　　日本理化学研究所量子光电设备实验室主任兼首席科学家Hideki HIRAYAMA研究领域主要在AlGaN基半导体的晶体生长、开发深紫外发光二极管和激光二极管、以及太赫兹量子级联激光器(THz-QCLs)。

　　沙特阿拉伯阿卜杜拉国王科技大学电气工程系助理教授,先进半导体实验室首席研究员李晓航，李晓航团队现在致力于第三代半导体材料和光电电子器件的研究。该领域预期会在未来对光电电子通信生化和生命科学等领域带来革命性的影响。

　　第三代半导体材料所具有的独特性能，有望突破传统半导体技术的发展瓶颈，开拓新技术应用，超强的阵容组合，加上高质量的内容，本次分会将全方位呈现当前碳化硅电力电子器件的研究进展，欲把握第三代半导体的发展大势与机遇，11月，北京见！

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