据公告显示，项目内容包括：①LED外延及芯片;②蓝宝石衬底;③紫外LED;④红外LED;⑤microLED;⑥MEMS传感器;⑦垂直腔面发射激光器(VCSEL)⑧氮化镓(GaN)基激光器;⑨氮化镓(GaN)基电力电子器件等先进半导体与器件项目。项目计划总投资人民币108亿元。需建设用地约500亩，预计总建设周期为7年。
华灿表示，本协议的签署，符合公司的战略发展需要，有利于提升未来发展空间，为公司未来的发展注入动力。本项目如顺利实施将有助于公司的业务拓展，为公司持续发展提供支持和保障，通过积累项目的建设和运营经验，提升公司的核心竞争力和行业影响力。此外，本协议的签订对公司2018年度的营业收入、净利润等生产经营不构成重大影响，对公司长期收益的影响具有不确定性。
