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IFWS2019丨SiC功率半导体技术应用论坛暨新品发布会

放大字体  缩小字体 发布日期:2019-11-19 09:41   来源:中国半导体照明网  浏览次数:218
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   SiC功率半导体电力电子器件近年来不断获得技术上的突破,这类器件具有高的转换效率,更高的开关频率和更高的工作温度等优势,产品可广泛应用于新能源(风电、光伏、电动汽车)、消费电子、智能电网、轨道交通等领域,SiC功率半导体可实现电力电子装置的小型化和模块化,大幅度提高能源互联网的可靠性、可控制。
 
  2019国际第三代半导体论坛(IFWS2019)将于11月25-27日在深圳会展中心举行。国际第三代半导体论坛(IFWS)是第三代半导体产业在中国地区的年度盛会,是前瞻性、全球性、高层次的综合性论坛。会议以促进第三代半导体与电力电子技术、移动通信技术、紫外探测技术和应用的国际交流与合作,引领第三代半导体新兴产业的发展方向为活动宗旨,全面覆盖行业基础研究、衬底外延工艺、电力电子器件、电路与模块、下游应用的创新发展,联结产、学、研、用,提供全球范围的全产业链合作平台。
 
  期间,由苏州锴威特半导体股份有限公司主办的“SiC功率半导体技术应用论坛暨新品发布会”也将在11月26日下午隆重举行。届时,苏州锴威特半导体股份有限公司、西安电子科技大学、西安卫光科技有限公司将联合发布在SiC功率半导体的产、学、研重要成果。同时,会议还邀请了国内知名专家学者、行业龙头企业、产业链合作伙伴共同参与,充分展示三方在SiC功率半导体电力电子器件的合作成果及优秀的产业合作资源。
 
  据了解,苏州锴威特半导体股份有限公司是国家高新技术企业,坐落于张家港市高新技术开发区,曾荣获江苏省科技小巨人、苏州瞪羚专精特新培育企业、张家港领军人才示范企业。锴威特目前专注于智能功率器件与功率集成芯片的研发、生产和销售。同西安电子科技大学微电子学院合作建有功率器件研究生联合实训研发中心,围绕第三代功率半导体展开合作研究。公司拥有60多项专利,产品广泛应用于智能家电、工业控制、智能电网和新能源汽车等领域。
 
  目前锴威特已形成高压、高可靠性功率MOSFET、集成FRD的高压MOSFET、SiC SBD、SiC MOSFET、Photo Mos、Photo Triac、IGBT、IPM功率模组等八大产品系列。产品已取得国内100多家客户的使用和认可,公司成立四年累计出货量已超30亿只。
 
  l 会议时间:11月26日下午14:00 -17:30
  l 会议地点:深圳会展中心五层·玫瑰3厅

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  合作参会联系人
 
  贾 先生
 
  M: 18310277858
 
  E: jiaxl@china-led.net
 
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