发射紫外光的激光二极管基于AIN（铝化氮）衬底，在室温脉冲电流注入下，发射出全球最短的激光波长——271.8nm。但值得注意的是，以往短波长半导体激光器仅能达到336nm，而目前的研究结果表明，深紫外光波长范围为200nm-280nm。
由于材料具有极高的电阻，研究员认为在紫外线范围内进行电流注入下的激光具有挑战性。此次研发成功的关键因素包括使用专门设计的p侧层，以同时实现足够的光限制和降低器件电阻，以及通过采用缺陷少的AIN衬底来抑制光散射损耗。此外，旭化成还成功将其薄膜晶体生长技术与名古屋大学C-TEFs设备的工艺技术和评估技术结合起来。
因此，这项研究成果掌握了开发高输出UV-C固态光源的关键。目前，研究小组正在开展进一步的合作研究，以实现持续室温深紫外激光，进而开发深紫外半导体激光产品。深紫外半导体激光器有望用于医疗杀菌消毒，牛皮癣等皮肤疾病治疗以及气体和DNA分析。
据悉，该研究已于2019年10月发表在《应用物理快报》（Applied Physics Express）期刊上。
