优化设计，满足当今高功率应用的要求
Cree 旗下公司Wolfspeed于近期宣布推出新型15-mΩ和60-mΩ 650V碳化硅 MOSFET，采用最新C3M™碳化硅技术，为高效率和高功率密度解决方案提供业界领先的低导通电阻和开关损耗。尽管当今应用对效率和性能的要求日益提高，但 Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET有强大实力应对这一挑战。Wolfspeed 650V 碳化硅 MOSFET 系列的特点包括：
高效率
- 低开关损耗
- 低导通损耗
- 低反向恢复损耗
高功率密度
- 更轻重量
- 更小尺寸
- 更少元件数量
高效率
在升压转化器中，C3M0060065K与竞品的比较
Wolfspeed 650V MOSFET同时实现低开关损耗和低导通损耗
业界领先性能：不同公司碳化硅方案比较
标准化导通电阻RDS(on) vs.温度
高功率密度
比之硅基方案，可实现高达70%功率密度提升
系统成本对比
在6.6kW双向充电机设计中降低总体系统成本
Wolfspeed 650V MOSFET与竞品技术比较
在性能方面，Wolfspeed 碳化硅出类拔萃。无论是与传统硅基方案、氮化镓 MOSFET，还是与竞争对手的碳化硅产品相比，Wolfspeed 都表现出色。
650V 碳化硅 vs. 硅
- 减少1/2导通损耗
- 降低40倍体二极管反向恢复电荷
- 减少75%开关损耗，支持在更高频率时实现更高效率
- 高达70%功率密度提升
- 优异的散热性能
650V碳化硅 vs. 硅基氮化镓
- 减少超过1/2导通损耗
- 行业标准封装
- 稳固的栅极驱动
- 久经现场检验的可靠性
- 雪崩能力
Wolfspeed 650V碳化硅 vs. 竞品碳化硅
- 在工作温度范围内更小的导通电阻增加
- 低输出电容
- 高开关频率
- 易于驱动
650V MOSFET应用
Wolfspeed 650V 碳化硅 MOSFET 是为满足当今前沿技术的需求而打造。从电动汽车车载充电机（OBC），到不间断电源（UPS）和微型逆变器等，Wolfspeed 650V 碳化硅 MOSFET 都足够耐用、足够可靠、足够强大，适用于各种应用：
- 工业开关模式电源（SMPS）
- 数据中心
- 通讯电源
- 车载充电机（OBC）
- 不间断电源（UPS）
- 储能系统（ESS）
- 太阳能光伏逆变器
产品和参考设计方案
参考设计
研究Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET及其配套和参考设计，更多了解Wolfspeed碳化硅MOSFET技术如何帮助您开发更出色的产品，满足当今现代器件的要求。
CRD-06600FF065N - 6.6-kW 高功率密度双向AC/DC + DC/DC电池充电机参考设计
- 展示科锐650 V, 60 mΩ (C3M™) 碳化硅MOSFET在6.6kW双向变流器中的使用，针对高效率和高功率密度车载充电应用
- Demo板包括双向图腾柱PFC (AC/DC)级和基于CLLC拓扑以及可变直流母线电压的隔离型双向DC/DC级
- 采用高开关频率工作，使得demo板可以更小、更轻和总体更高性价比
- 科锐6.6 kW高功率密度车载充电机demo板可以承受输入90V AC - 265V AC，并提供输出250V DC - 450V DC，在充电和反馈模式下实现> 96.5%效率
- 这一demo板的主要目标应用包括：电动汽车充电和储能
- 文件包括BOM物料清单、简略图、电路板设计和应用指南
KIT-CRD-3DD065P - DC/DC 升降压转化器评估套件
评估和优化Wolfspeed C3M™碳化硅MOSFET和肖特基二极管的稳态和高速开关性能
- 分析多用途功率转换拓扑中的评估板，例如同步/异步升压或降压转化器，半桥式和全桥式（需要注意，全桥式拓扑需要2个评估套件）
- 板上尺寸同时适合3引脚或4引脚TO-247封装的C3M™碳化硅 MOSFET
- 同时兼容TO-247和TO-220封装的碳化硅肖特基二极管
- 在升压或降压转换器拓扑中运行评估板，不需要额外的电容器
- 在板上为每个C3M? 碳化硅MOSFET都提供了2个专用栅极驱动
- 在测试硬件中包括了采用2个采用TO-247-4封装的1200V, 75mΩ C3M™碳化硅MOSFET
- 现已可购买
CRD-06600DD065N - 6.6 kW高频率DC-DC转换器
- 展示科锐650 V, 60 mΩ (C3M™) 碳化硅MOSFETs在6.6 kW高频率DC-DC转换器中的使用，针对高功率密度应用
- Demo板由包括初级端基于全桥级和次极端基于异步整流级的DC-DC LLC拓扑构成
- 采用高频率工作，使得demo板可以更小、更轻和总体更高性价比
- 科锐6.6 kW高频率demo板可以承受输入380V DC - 420V DC，并提供输出400V DC，实现> 96%效率
- 这一demo板的主要目标应用包括：工业电源和电动汽车充电机
- 文件包括BOM物料清单、简略图、电路板设计和应用指南
CRD-02AD065N - 2.2 kW高效率(80+ Titanium) 无桥式图腾柱PFC的碳化硅 MOSFET
- 基于科锐最新(C3M™) 650 V 60 mΩ 碳化硅MOSFET的高效率和低成本2.2 kW无桥式图腾柱PFC拓扑解决方案
- 在所有负载条件下，可轻松满足Titanium标准，实现> 98.5%效率和总谐波失真THD < 4%
- 基于现有传感方案的创新型电阻器
- 在所有负载条件下，过零检测无失真电感电流
- 采用通用型二极管代替低频率开关，降低BOM物料成本
- 这一demo板的主要目标应用包括：服务器、通讯和工业电源供应单元（PSU）
- 文件包括BOM物料清单、简略图、电路板设计和应用指南
了解科锐新型650V碳化硅MOSFET更多信息，敬请关注并报名注册4月24日周五上午09:30 CSC化合物半导体在线研讨会。点击下方图片传送门，或扫描二维码：
