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【极智课堂】远方光电宋立:Mini-LED与Micro-LED相关检测技术最新进展

放大字体  缩小字体 发布日期:2020-05-15   来源:中国半导体照明网  浏览次数:1324

当前,新型冠状病毒仍在持续,对产业及企业造成了一定程度的影响,也牵动着各行各业人们的心。在此形势下,中国半导体照明网、极智头条,在国家半导体照明工程研发及产业联盟、第三代半导体产业技术创新战略联盟指导下,开启疫情期间知识分享,帮助企业解答疑惑。助力我们LED照明企业和产业共克时艰。

本期,极智课堂邀请到杭州远方光电信息股份有限公司光电科学研究院研究员、宋立博士带来了题为“Mini-LED与Micro-LED相关检测技术最新进展”的精彩主题分享。

Mini LED及Micro-LED芯片的发展及应用

从传统LED、小间距LED到Mini LED、Micro LED等,LED芯片的发展速度非常快,对于Mini LED、Micro LED的定义,业界多有讨论,目前较多的是根据尺寸进行定义。报告针对Mini LED、Micro LED在显示领域的应用特性进行了分析,并与现有的显示技术进行了对比。

Mini LED及Micro-LED芯片的测量

现行相关测量标准有:SJ/T 11399-2009 《半导体发光二极管芯片测试方法》,SJ/T 11394-2009 《半导体发光二极管测试方法》,GB/T 36613-2018《发光二极管芯片点测方法》,CIE 235:2019,CIE 238:2020,CIE 127-2007等,暂无专门针对Mini-LED与Micro-LED测量标准出台。

对于相关测量指标,报告详细分享了光学特性、光强及光强分布测量、光通量测量、光谱特性测量、芯片表面亮度分布测量等的最新进展与面临的挑战。

报告指出,由于Mini LED、Micro LED的发光强度非常低,对于测量设备的光学设计及探测灵敏度都是挑战,需要经过特殊设计。此外对于点亮所需的电源精度要求也较高。传统的LED测量系统无法实际应用到Micro LED的光电性能检测。对此,报告介绍极低电流下外量子效率的测量相应的解决方案:需要使用高稳定性的纳安源点亮LED芯片,并使用高灵敏度光谱仪配合特制的积分球系统实现测量。

针对辐射通量测量,2020年3月,CIE 239:2020《Goniospectroradiometry of optical Radiation Sources》正式发布。该标准技术报告是由潘建根教授级高工为主席的技术委员会CIE TC 2-74起草,是首个由中国大陆专家主持的CIE出版物。该技术报告凝聚了来自世界各地的光辐射测量专家在光辐射源空间光谱辐射度学领域的最新成果和共识。

CIE 239:2020 主要涉及光辐射源在200 nm-2500 nm光谱范围内光辐射的全空间分布测量技术原理,主要涉及的的参数有:总辐射通量、总光通量、区域辐射通量、区域光通量、平均色坐标、空间颜色均匀性等。

Mini LED及Micro-LED显示屏的测量

LED显示性能评价的相关标准方面,SJ/T 11281-2017和SJ/T 11141-2017:业内对其进行了修订发布,但仍无法满足Mini-LED Micro-LED显示的评价需求;SJ/T 11590-2016:补充了运动图像清晰度、频闪等的目视观察法,易受主观因素影响。报告指出,当前很有必要Mini-LED和Micro-LED显示屏的性能评价指标及其量化测量方法进行分析探讨。

报告详细介绍了颜色性能的测量和评价、LED显示屏均匀性的评价、灰阶的评价与测量、频闪特性的测量评价、其它瞬时特性及其测量方案、LED显示屏的其它关键性能、视角及视角不均匀性、环境光特性等测量方法。并介绍了为满足Mini-LED、Micro-LED显示测量需求,相关测量设备所应关注的指标。

 

【特别说明】

文字仅为部分内容摘要呈现,报告非常详细丰富,具体技术讲解与发展趋势建议观看直播回放。回放链接:https://appp7ZA2jZT7904.h5.xeknow.com/st/2Z6UoQtqO

 
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