2008年注定成为中国标志性的一年，对于半导体照明产业来说，也必定对未来产业发展影响深远的一年！ 2008年上半年，业界还享受着市场快速增长的成果，企业加大设备投入，产业规模快速扩张，一切都在按照企业发展计划顺利进行；2008年下半年开始，市场开始受到冲击，新增的生产线还没有运行便处于停产状态，企业订单减少30-50%，部分企业停产或倒闭…… 2008年，半导体照明的应用发展也值得关注：国内近10万盏LED路灯投入使用，海信 LED背光电视正式上市，笔记本LED背光比例超过30%......，新的应用领域逐步形成规模，半导体照明应用大步推进。然而，在金融危机的影响下，一直作为主要应用的手机背光、消费电子背光、灯饰、景观、节日照明、玩具等应用急剧下滑，国内产业发展受到较大影响！ 2008年，美国“337”专利调查又起波澜，从外延芯片、封装直到应用的全产业链企业都被涉及其中，技术创新对产业的制约开始显现。同时，国内公共研发平台、研发基金、专利池开始运作，力图实现国内技术和专利突围。 2008年，我国半导体照明产业经历了太多的变化，产业的发展被推到了一个变局的关键时期。机遇总是与危机相伴而生，从全球产业格局及发展看，我国半导体体照明产业仍然有着非常好的发展机遇和空间。 我们相信，2009年国内产业格局及产品结构的调整将进一步夯实产业基础，迎来产业快速发展的又一波高潮！

　　第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议于12月1日到3日在广州召开，会议由中国电子学会半导体与集成电路分会、电子材料分会主办，是国内化合物半导体、微波器件和光电器件方面最高级别的学术会议。
　　GaN 等Ⅲ族氮化物的发展成为本次会议的主题，特别是随着半导体照明的发展和应用，以GaN为代表的化合物半导体受到了研究及产业相关机构极大重视。为此，大会特邀王占国院士介绍了GaN基材料及器件在激光显示方面的应用，郑有枓院士就Ⅲ族氮化物半导体发展中面临的科学技术问题作了相关报告。在半导体照明方面，大会更是特邀国家半导体照明工程项目办公室主任、国家半导体照明工程研发及产业联盟秘书长介绍了中国半导体照明发展现状及趋势，中科院半导体所所长、国家半导体照明工程研发及产业联盟研发主席李晋闽所长介绍了半导体照明技术的一些最新进展。
　　吴玲主任介绍了半导体照明在降低能耗、节能减排、环境保护、传统产业改造、新兴产业培育等方面的作用及产业基础，并指出21世纪中国发展迅速的城市化进程、以基础设施投入为主的4万亿拉动内需计划都将为我国的半导体照明发展提供极大机遇。
　　吴玲主任还提出了半导体照明产业 “顶天、立地”的概念：“顶天”是指该技术不仅仅是应用于照明的高科技，与之相关的GaN等Ⅲ族氮化物半导体技术还是涉及信息光电子、能源光电子、微波功率器件及电力电子器件的战略性高科技；“立地”是指半导体照明已经在多个领域得到规模化应用，为人们的工作和生活带来了实实在在的便利，已经成为民生的一部分。她认为，这使得半导体照明技术与产业形成了一种“边开花、边结果”的模式，使半导体照明产业具备了在相当长的时期内持续增长的技术和产业基础。
　　半导体照明在技术及产业方面还存在非常大的空间，郑有阧院士指出Ⅲ族氮化物半导体是一种发展中的材料，其研发至少还要进行20年以上。MOCVD是GaN材料生长和半导体照明产业的关键，目前的设备还远未成熟，产业界亟待新替代MOCVD设备的出现；新型衬底研发不断突破，外延材料生长的技术路线存在更多选择等都是技术和产业关注的焦点。这究竟会成为机遇还是挑战？我们还如何应对？吴玲主任认为这是半导体照明研发和产业界需要认证思考的问题。
　　根据大会报告的介绍，目前我国半导体照明产业已经形成了较大规模，企业总数达到3000多家，受2008年下半年金融风暴的影响，半导体照明产业的发展也呈现出新的态势。
　　我国有外延芯片企业进50家，MOCVD设备超过100台，2008年芯片产能预计增长30%以上。但整体来看，企业规模较小，特别是从年初开始，芯片价格下跌近一半，造成企业盈利能力不足，芯片企业开始进入寒冬；我国有封装企业、近1000家，具有规模的企业有100余家。2008年初封装企业产能扩张迅速，设备投入较大，规模封装企业销售仍然实现较高增长。受金融危机影响，下半年规模小、以出口加工、低端市场为主的企业倒闭70余家，封装企业的发展步履艰难；我国下游应用企业有2000余家，新的应用产品和市场不断出现，特殊照明产品已经成熟，市场从显示向照明，从特殊照明向普通照明转变， 普通照明产业领先机遇大。在应用产品种类与规模方面，我国处于国际前列，已成为全球LED全彩显示屏、太阳能LED、景观照明等应用产品最大的生产和出口国。但总能体来说，企业小且缺乏品牌，较大传统照明企业观望，半导体照明应用产业的发展亟待提升。
　　针对金融危机对产业发展的影响，吴玲主任进行了分析和展望，她认为半导体照明产业的发展会放缓，预计2009年增长会在15%左右。从2009年第四季度开始，国内半导体照明产业将明显增速，到2010年高亮LED的增速将达到50%以上。就长期来看，产业的发展是乐观和值得期待的。
　　另外，在全球经济面衰退危机的时候，GDP的提升对于经济发展至关重要。目前全球的照明消耗了8.9%的能源及19%的电力，对GDP的贡献率为0.63%。根据美国能源部及Sandia 国家试验室的研究报告，随着半导体照明技术的发展，照明的能耗和成本将大幅下降，使照明需求增加，从而增加照明对GDP的贡献率，预计2050年照明对GDP的贡献率将增加到1.63%。
　　机遇总是与挑战并存，金融海啸对实体经济的影响是我们面对严峻挑战，而拉动内需、提升产业结构与节能减排又将带来无限机遇。在这种形势下，半导体照明产业该做何种准备？吴玲主任认为增强体质、练好内功是目前我国半导体照明产业发展的必要选择。
　　半导体照明是革命性的技术，将带来未来照明、信息光电、电力电子、微波器件、能源电子等方面的技术和产业革命。同时，半导体照明是全球性的产业，国内封装和应用企业依靠价格优势和快速的市场适应能力，占据了全球的中低端市场，但缺乏品牌战略；国内上游企业仍处于努力提升技术和扩大规模的原始积累阶段，除拥有市场但不占有市场外，仍处于劣势；全球已经进入并购、重组的重要阶段，半导体照明已经成为投资的热点行业。在这种技术和产业的大背景下，中国有机会引领全球半导体照明的发展。对此，吴玲主任提出了一个无法回避的问题，中国对全球半导体照明发展的引领将在产业发展方面，还是仅仅在市场应用方面？这关系到我国半导体照明产业发展的基本出发点，也将影响到未来几年研发和产业资源的配置。
　　2008年的中国经历了汶川大地震的考验和奥运会的洗礼，证明我国有能力应对任何挑战，目前金融海啸扑来，我们更相信这对中国来说机遇要远大于挑战。因此，吴玲主任认为，对于半导体照明的发展，中国政府应该立足战略需求、体现国家意志来设定更远大的半导体照明发展目标。这个发展目标应该着眼于我国未来可持续发展与建设和谐社会的需求，而不能拘泥于目前的技术和产业现状。吴玲主任还提出一个问题留给研发和产业界：如果国家目标得以确定，真正面临挑战的竟会是谁呢，科学家？企业家？
　　通过本次会议，大家感到我国半导体照明的发展又到了一个关键时期，同时全球经济形势的变化也对产业发展提供了调整契机。中国半导体照明产业应该适时改变发展模式，对于众多问题需要重新思考和定位，在未来的产业发展中真正实现引领全球半导体照明产业发展目标。因此，本次会议留给我们更多的是思考：我国半导体照明体现国家意志的战略目标是什么？半导体照明发展的挑战是科学家还是企业家的？面对全球的机遇与挑战，半导体照明产业该做如何应对？中国应该如何引领全球半导体照明的发展，产业层面还是市场层面？

　　白光LED是半导体照明发展的重中之重。LED的白光技术也被认为是半导体照明最重要的技术，是实现半导体照明实际应用的关键。
　　1993年GaN系蓝光LED被开发出来，使得白光LED成为实际可行的产品。目前，能够产生白光的LED主要有以下六种方式，其中蓝色LED芯片结合可被蓝光激发发黄光的荧光粉、红绿蓝三基LED芯片合成两种方式较为成熟，基于蓝光技术的蓝光LED激发黄色荧光粉仍然是目前最为成熟、应用最广的LED产生白光的方式，预计在近期这种情况也不会发生大的改变；紫外光LED芯片激发红绿蓝三基色荧光粉被认为是下一步产业化研发重点；其它三种方式还处于实验室水平，真正的产业化技术还需要取得重大突破性进展。
主要白光LED发光模式
（1）使用蓝色LED芯片结合可被蓝光激发发黄光的荧光粉，制成光转换白光LED。一部分蓝光被荧光粉吸收，并发出黄光，通过调节荧光粉的厚度和比例，控制蓝、黄光的强度比。当比例合适时，人眼就能感觉到白光。这种方法实现白光LED，成本低，生产容易，但是光效较低，且发光的均匀度不好，光谱成分中缺少红光光谱。
（2）使用紫外光LED芯片和可被紫外光有效激发而发射红、绿、蓝三基色荧光粉有机结合组成白光。此方法由于使用了三种荧光粉发光，显色性比较好，但是工艺复杂，也存在光效低的缺点。
（3）将红、绿、蓝三基LED芯片封装在一起，制成白光LED。此方法由于不存在光转换白光LED研究光转换的过程，光效较高，亮度也比较好，但如果不同颜色的LED中有一只劣化，则大大影响其显示效果；且不同LED的驱动电压有所区别，其驱动电路的设计也比较复杂。
（4）多量子阱型LED。在芯片发光层的生长过程中掺杂不同的杂质以制造结构不同的量子阱，通过不同量子阱发出的多种光子复合直接发出白光。1998年8月，中国台湾的陈金源等人在p-n结二极管中生长量子阱结构，通过调变晶体取向生长时的温度、压力、氨气流量、载气比例、掺杂硅镁杂质等，在特定的参数范围内使量子阱结构发射出不同能量的光子，调变出白光。该方法提高发光效率，可降低成本，降低包装及电路的控制难度，但技术难度相对较大。
（5）光转换型的”光子再循环”白光LED。日本SumitomoElectric在1999年研制出ZnSe材料的白光LED。其技术是先在ZnSe单晶基底上生长一层CdZnSe薄膜，通电后该薄膜发出的蓝光与基板ZnSe作用发出互补的黄光，从而形成一白光光源。美国Boston大学光子研究中心用同样的方法在蓝光GaN-LED上叠放一层AlInGaP半导体复合物也生成了白光。
（6）量子点白光技术LED。 Sandia国家实验室是世界上第一个采用量子点白光技术获得白光照明的研究单位。与传统的荧光粉不同，量子点技术通过改变量子点的尺寸调节发光的颜色。该技术的困难在于，把量子点从有机溶剂中用环氧树脂包裹，方法不当会引起光效下降。
　　其中，蓝色LED芯片结合黄光荧光粉、红绿蓝三基LED芯片、紫外光LED芯片激发三基色荧光粉三种已经逐步得到商业利用的白光LED。目前,主要的半导体照明公司都在蓝光结合黄色荧光粉取得了较大进展，目前以Nichia、Cree、Lumileds都积极推出高效率的白光产品，Cree公司已经推出120lm/W的相关产业化产品，而其实验室水平已经超过160lm/W。

　　当前由华尔街金融风暴演变而来的全球金融危机正愈演愈烈，并逐步蔓延到实体经济部门，中国作为新兴的经济体，所经受的影响已经初步呈现。为了分析金融危机下国内LED行业的形势与走势，分析在当前危机形势下，国家宏观部署如何与企业策略相衔接，引领LED企业把握经济现状与潜在发展机遇，联盟组织召开联盟“产业研发基金”扩大会议。主要讨论两方面内容：一是联盟“研发基金”下一步如何着力解决产业化关键技术，形成共同投入、风险共担、利益共享的机制，为推进公共平台的建设，变危机为机遇，厚植实力，走向价值链高端；二是在LED产品应用成熟的领域，抓住拉动内需机遇，加大企业研发投入，突破关键技术，提升产业结构，积极推动示范工程建设，为国家节能减排做出贡献。

　　2008年3月20日，美国国际贸易委员会(ITC)对发光二极管(LED)发起了“337调查”。由于所涉及的30家企业中包括4家中国LED下游企业，从而引发了国内业界的极大关注。为了全面深入了解事件的背景，评估危害及影响，积极应对，在全体行业同仁的关注和有关部门、专家律师的指导下，国家半导体照明工程研发及产业联盟开展了一系列的会议走访及评估协调工作，最终在部分企业的积极支持和配合下，成功的组织联合2家(广州鸿利光电、深圳洲明电子)企业于4月20日向美国ITC提起了应诉，避免了以往中国若干行业遭遇“337”调查后企业不应诉造成缺席判决后被美国启动普遍排除令的局面。
　　然而，就在和解协议签署不到半个月的时间，2008年8月29日，原告律师再次向美国国际贸易委员会（ITC）提起申请，要求在被告名单中增补调查11家亚洲企业（5家大陆企业、5家台湾企业、1家日本企业），与上次被调查30家企业中无上游芯片公司的情况相比，此次被调查的企业中增加了部分芯片生产企业。
　　针对此情况，2008年9月8日，国家半导体照明工程研发及产业联盟在中科院半导体研究所紧急召开有关“337调查”的对策研讨会，共有11家联盟常务理事单位，此次被增加调查的公司，部分联盟专利池工作组专家和第一轮应诉的企业代表和应诉代理专利律师等近30位代表参加会议。
　　联盟秘书长吴玲在总结发言中指出，本次中国LED行业遭遇“337调查”只是“冰山的一角”。随着我国LED产业的快速发展，今后我国LED产业的知识产权问题将会面临更大的挑战。对待马拉松式的“337调查”能否引起我们足够的重视，并积极探索应对的策略是我们大家共同需要面对的问题，而面对不断而来的诉讼调查对企业的负面影响和参与应诉产生的巨额法律费用之间的利害关系，需要企业审时度势的分析清楚，拿出最终的意见和态度。联盟将继续协调政府部门为企业提供必要的政策支持，联盟专利池工作组也将继续为被调查企业进行技术支持。加大对专利及知识产权的宣传和保护力度，研究和制定更为切实可行的知识产权战略和有效的应对策略，增强我国LED产业的国际竞争力。