IGBT已经是非常成熟的产品，目前在中高电压领域的市场规模达16亿美元。未来IGBT有向缩小电压范围发展的趋势，以满足电视机、计算机适配器和照相机等消费类目标应用需求，从而抢占更多市场。与此同时，在上述应用中的SJMOSFET可提供更快的开关频率和具有竞争力的价格，2012年年底，SJMOSFET市场规模将达5.67亿美元。
功率电子领域主要负责DC-DC转换、AC-DC转换、电机驱动等工作。需要更轻更小更高效率更便宜，目前有4种技术来对应这些要求，分别是silicon IGBT,Super Junction(SJ) MOSFETs,Gallium Nitride(GaN)and Silicon Carbide(SiC)-baseddevices.
GaN和SiC对功率电子市场来说还不成熟。前者要求在制造工艺上做技术改进，特别是外延厚度;而后者，目前是一种昂贵的材料，不适合在消费类市场使用。
从功率处理能力来分，功率半导体分立器件可分为四大类，包括低压小功率分立器件(电压低于200V,电流小于200mA)、中功率分立器件(电压低于200V,电流小于5A)、大功率分立器件(电压低于500V,电流小于40A)、高压特大功率分立器件(电压低于2,000V，电流小于40A)。
IGBT是RCA公司和GE公司在1982年提出并于1986年开始正式生产并逐渐系列化的器件，是继双极晶体管(GTR)和MOSFET后的第三代功率半导体分立器件，其综合GTR和MOSFET的优点，具有易于驱动、峰值电流容量大、自关断、开关频率高的特点，广泛应用于小体积、高效率的变频电源、电机调速、UPS以及逆变焊机当中，是目前发展最为迅速的新一代功率器件。
IGBT下游应用领域也非常广阔，从IGBT的耐压范围上来分，600V-1200V的IGBT主要用于电磁炉、电源、变频家电等产品，现阶段这部分市场的IGBT用量最大;低于600V的IGBT主要用于数码相机闪光灯和汽车点火器上;电压大于1200V的IGBT主要以1700V的IGBT为主，这部分产品主要用在高压变频器等工业产品上。
未来推动IGBT市场增长的最主要领域是变频器、变频家电、轨道交通产业、太阳能及风能可再生能源、混合动力车和纯电动车。出汽车外的市场都集中在中国.
变频器产业：变频器对电机转速和转矩进行实时调节，由此可以节约不必要的能源浪费。应用变频器的电动机节能效果明显，一般节能率在20%-30%，较高的可以超过50%，节能潜力巨大。由于变频器广泛应用到机械、油气钻采、冶金、石化、电力和市政等领域，具有广泛的下游应用需求，未来市场将有望保持持续增长，其中，我们预计高压变频器未来三年将保持40%以上的增速，而中低压变频器未来三年也将保持20%以上的增速。变频器市场快速的增长，将保证作为变频器主要原材料的IGBT的需求快速增长。
目前国内基本都是只能做到封装IGBT管,完全自主生产我没有看到,虽然南车说自己有8英寸线,但未听说正式投产。
