科锐(Nasdaq: CREE)近日宣布最新SiC功率器件技术突破，推出业界首款900V MOSFET平台。新型900V平台优化设计，适合包括可再生能源逆变器、电动汽车充电系统、三相工业电源在内的高频电力电子应用，实现下一代更小尺寸、更高效率的电源转换系统，而成本与Si基方案相当。新型器件令现有Si基方案黯然，在高频化电力电子应用中，提供显著系统级性能和成本优势。
科锐功率与射频事业部副总裁兼总经理Cengiz Balkas博士表示：“科锐作为SiC功率器件的技术领先者，我们致力于突破性能屏障，这对于电源转换设计很重要。与同等Si基MOSFET相比较，这一突破性的900V SiC基平台可以扩大在终端系统中的功率范围，将为我们的产品开辟出一个新市场。我们先前推出了1200V MOSFET，比之高电压IGBT，展现了卓越的性能。现在我们又推出900V SiC基平台，将领先900V超结Si基MOSFET技术。这一平台提供非常卓越的特性，从而为电源设计者们提供了更多的创新空间，以实现更小尺寸、更快速度、更低温度、更高效率的电源方案。毋庸置疑，它将超越目前Si基方案所能达到的限制。”
基于科锐业界领先的SiC平面技术，这一新型900V MOSFET平台扩展了产品组合，可应对新型且不断演变的应用市场中的设计挑战，适用更高直流母线电压。主导产品C3M0065090J比之目前市面上任何一款900V MOSFET，可以实现最低的额定导通电阻，达到65mΩ。不仅如此，除业界标准TO247-3 / TO220-3封装之外，这一新型器件还可以提供低阻抗D2Pak-7L表面贴封装，采用开尔文(Kelvin)连接，帮助减小栅极振荡。
由于非常高的开关损耗和较差的内部体二极管，现有900V Si基MOSFET在高频率开关电路中有较多的局限性。Si基MOSFET的另一局限在于导通电阻Rds(on)，提高了超过3倍的温度，这将导致散热问题和显著降额。与之不同的是，科锐新型900V MOSFET技术，可以在更高温度时仍能提供低导通电阻Rds(on)，这将显著减小热管理系统的尺寸。
科锐 C3M0065090J 额定900V / 32A，在25°C条件下导通电阻Rds(ON)为65mΩ。在更高温度(Tj = 150°C)工作时，导通电阻Rds(ON)也只有90mΩ。封装器件将通过DigiKey与Mouser进行备货。
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