科技部中期检查现场
该课题针对直径4、6英寸SiC单晶生长和加工技术以及SiC衬底上的高质量GaN外延生长开展了研究，并通过制备器件验证衬底和外延层质量，在提高4英寸和6英寸SiC晶体质量、降低微管密度、改善表面质量、SiC衬底上GaN异质结构的外延生长、以及GaN基HEMT器件研制等方面取得了一系列进展，4英寸导电和半绝缘4H型SiC晶体XRD摇摆曲线半高宽25和30arcsec，微管密度0.25和1.34个cm-2，晶片Warp、Bow、TTV、LTV检测结果分别达到15μm、-8μm、3.5μm和1.5μm，表面粗糙度小于0.3nm，晶片加工质量接近国际同类产品的标准，现有技术可以加工出低表面粗糙度、无划伤、无亚损伤的4英寸4H晶片。已生长出6英寸导电型SiC晶体，并开展晶片加工技术研发。GaN外延层位错密度3x107cm-2，GaN基HEMT器件击穿电压700V。为最终完成课题任务指标打下了良好基础。
4英寸4H偏振光观察无相变反馈6英寸4H导电型晶体
