The 2016 International Workshop on Wide Bandgap Semiconductor Power Electronics (IWWSPE)
Xi’an, 21-22 May 2016 （西安，2016.5.21-22）
iwwspe2016.xjtu.edu.cn
由西安交通大学、第三代半导体产业技术创新战略联盟和IEEE西安分会主办的2016年IEEE宽禁带半导体电力电子技术国际研讨会将于5月21日至22日在西安交通大学举办。此次研讨会是宽禁带半导体电力电子领域国内首次举办的高端论坛，邀请了美国、欧洲和日本的10位著名专家教授和10位国内的相关专家教授做报告，涉及宽禁带半导体电力电子技术的应用、宽禁带半导体电力电子器件的封装、宽禁带半导体电力电子器件和宽禁带半导体材料生长等方面，为从事宽禁带半导体材料、电力电子器件、封装和电力电子应用的专业人士和研究生提供了难得的学习和交流机会。诚挚欢迎大家的参与。
主办单位：西安交通大学、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、IEEE西安分会
协办单位：清华大学、浙江大学、山东大学、西安理工大学、第三代半导体产业技术创新战略联盟、
中国宽禁带功率半导体及应用产业联盟
承办单位：西安交通大学电力系统电气绝缘国家重点实验室、
西安电子科技大学宽禁带半导体国家重点学科实验室
会 议 日 程
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5/21 早上
宽禁带半导体电力电子技术应用 Applications of WBG power electronics
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1、 Power Semiconductor Devices for Energy Internet（应用于能源互联网的功率半导体） Prof. Yufeng Qiu, Global Energy Interconnection Research Institute （邱宇峰，国网全球能源互联网研究院） |
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2、 Is GaN a game-changing device （GaN器件能改变游戏规则吗） Prof. Qiang Li, Virginia Tech, USA （美国佛吉尼亚理工大学） |
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3、 Driving and characterization of wide bandgap semiconductors for voltage source converter applications （应用于电压源变换器的宽禁带半导体的驱动和表征） Prof. Fred Wang, University of Tennessee, USA（美国田纳西大学） |
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4、 Installation of all-SiC invertor system to hybrid electric vehicle （全SiC逆变器应用于混合动力汽车） Dr. Kimimori Hamada, Toyota Motor Corporation（日本丰田公司） |
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5、 宽禁带半导体的电力电子应用 Prof. Xu Yang, Xi’an Jiaotong University（西安交通大学杨旭教授）） |
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5/21 下午
宽禁带半导体电力电子封装技术 Packaging for WBG power electronics
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1、 Development of Lead-free, Low-temperature Sintering Die-Attach Technique for High-performance and High-temperature Packaging （应用于高效、高温的无铅低温烧结的粘片技术） Prof. Guo-Quan Lu, Virginia Tech, USA（美国佛吉尼亚理工大学） |
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2、 Packaging technologies to exploit the attributes of WBG power electronics （充分发掘宽禁带电力电子特性的封装技术） Dr. Zhenxian Liang, Oak Ridge National Lab, USA（美国橡树岭国家实验室） |
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3、 Status and challenges for high-voltage packaging（高压封装的现状与挑战） Prof. Hongwei Zhang, CRRC（中车西安永电公司张红卫） |
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4、 宽禁带半导体封装技术 Prof. Puqi Ning, Institute of Electrical Engineering, CAS （中科院电工所宁蒲齐教授）） |
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5、 Packaging and integration of passive components（无源集成技术） Prof. Laili Wang, Xi’an Jiaotong University（西安交通大学王来利教授）） |
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5/22 早上
宽禁带半导体电力电子器件 WBG power devices |
1、 Introduction to SiC devices : physics, working principles, architectures Prof. James Cooper, Purdue University, USA（美国普度大学） |
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2、 GaN devices Prof. Yue Hao，Xidian Univeristy（西安电子科技大学郝跃教授）） |
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3、 GaN power devices Kevin Chen, University of Science and Technology of Hong Kong （香港科技大学陈敬教授） |
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4、 Progress in SiC MOSFET, IGBT and Thyristors Prof. Anping Zhang, Xi’an Jiaotong University（西安交通大学张安平教授） |
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5、 SiC power devices Prof. Kuang Sheng, Zhejiang University(浙江大学盛况教授)) |
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5/22 下午
宽禁带半导体材料 WBG semiconductor materials
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1、 Epitaxial Growth of On-Axis 4H-SiC and Defect Characterization （SiC外延生长与表征） Prof. Peder Bergman, Likoping University, Sweden（瑞典林雪平大学） |
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2、 Developing technologies of SiC gas source growth Method（SiC衬底的气相生长技术） Dr. Jun Kojima，Denso Corporation, Japan日本Denso公司 |
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3、 SiC substrates （SiC衬底技术） Prof. Xiangang Xu, Shandong University（山东大学徐现刚教授） |
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4、 GaN bulk substrate（GaN衬底技术） Ke Xu, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, CAS （中科院苏州纳米所徐科教授） |
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5、 Epitaxial growth of GaN materials （GaN的外延生长） Prof. May Lau, University of Science and Technology of Hong Kong （香港科技大学刘纪美教授） |
会议联络咨询
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