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海信视像公布Micro LED巨量转移专利

放大字体  缩小字体 发布日期:2024-01-04 浏览次数:272

 近日,据国家知识产权局公告,海信视像科技股份有限公司申请一项名为“MicroLED暂态转移基板及MicroLED的转移方法“,公开号CN117334619A,申请日期为2022年6月。该专利可提高Micro LED转移良率和转移效率,实现Micro LED的选择性转移,易于个别位置的后续修补,实现Micro LED位置无偏移,Micro LED表面无残胶。

图片来源:国家知识产权局

专利具体内容如下:该发明公开了一种Micro LED暂态转移基板及Micro LED的转移方法,Micro LED暂态转移基板包括:第一掩模版和粘性缓冲结构,粘性缓冲结构位于第一掩模版的一侧,与第一掩模版接触设置,粘性缓冲结构相对于第一掩模版可移动;

第一掩模版包括多个第一通孔,粘性缓冲结构包括多个第二通孔和连接部;连接部在粘性缓冲结构相对于第一掩模版的第一设置位置与第一通孔对应设置,第二通孔在粘性缓冲结构相对于第一掩模版的第二设置位置与第一通孔对应设置。此外,国家知识产权局消息透露,海信视像还申请了一项名为“一种微型发光二极管芯片、制备方法及显示装置”的专利,申请日期2022年,申请公布号CN117253959A。该专利可在在不缩减芯片尺寸的基础上减小了芯片的发光面积。

图片来源:国家知识产权局

具体专利内容如下:专利公开了一种微型发光二极管芯片、制备方法及显示装置。该微型发光二极管芯片包括:衬底;覆盖在衬底的一侧表面的有源层,有源层包括依次层叠的电子型半导体层、多量子阱层以及空穴型半导体层;从区域角度划分,有源层包括发光部和封装部,发光部与封装部间设有沟槽。

位于发光部远离衬底一侧表面设有用于导电的金属层。本申请实施例通过在有源层的指定区域设置表面设有连通电极的发光部,并在余下有源层设置不具备发光能力的封装部与沟槽,以使有源层内仅有发光部所在区域能够在电流驱动下发光,以此在不缩减芯片尺寸的基础上减小了芯片的发光面积。

(来源:LEDinside)

 
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