为规范半导体照明市场环境，引领半导体照明产业快速转型升级，国家半导体照明应用系统工程技术研究中心联合国家半导体照明工程研发及产业联盟共同举办Green Lighting 上海国际半导体照明论坛，论坛于2015年3月11日下午在上海虹桥金古源豪生大酒店正式拉开帷幕。
会上，南昌大学副校长江风益以“高品质LED照明光源用薄膜型芯片制造技术”为主题做了演讲报告。
南昌大学副校长江风益 做主题报告
江风益表示，做好一个灯具，首先就要了解的就是芯片。希望通过搞应用的人能够通过这个报告了解一下芯片光谱。
目前三条LED照明技术路线分别是蓝宝石、碳化硅和硅衬底GaN基LED技术路线。前两种为非薄膜型芯片，第三种为薄膜型芯片，薄膜型芯片具有垂直结构、单面出光、出光均匀、散热好等性能优势，是高品质灯具的优选光源。采用单面出光的硅衬底蓝光LED制备的白光光谱在空间分布方面表现出准各项同性，发光均匀性好，而非薄膜型LED多面出光表现为明显的各向异性。薄膜型芯片在高档光源市场上表现出十分明显的竞争优势。江风益在报告中表示，无论是蓝光、绿光，还是红光橙光，无论是蓝宝石衬底，还是硅衫底，最后你只要做成薄膜型芯片都是一个高档的芯片。
GaN基LED材料在蓝宝石衬底上受到较大的压应力，在碳化硅衬底上受到较小的张应力，而在硅衬底上则受到巨大的张应力，导致在硅衬底上制备高性能的GaN基LED难度远超蓝宝石和碳化硅衬底。因此，前两条技术路线早在20年前就突破了最基本的关键技术，而硅衬底技术路线则相对较晚才突破。
在讲到高光效Si衬底LED芯片结构时，江风益表示，传统电极结构是部分区域发出光极电极阻挡，难以溢出LED，互补电极结构是通过特殊处理，使N电极正下方形成高阻，阻止电流经过，提高发光效率。
2002年美国Cree公司Calvin H.Carter同其他三位LED专家获得美国最高技术奖;2014年，诺贝尔物理学奖授予了蓝光技术路线的三位主要贡献者。江风益说，对于这个LED技术，世界上非常重视。
LED产业从初兴时的“潜力股”架势，发展到现在产业不断成熟。很多人还在纠结在价格和成本上，在这点上，江风益认为，当前LED照明的第一要务应是提升产品品质，而并非是降低产品成本，行业发展应遏制低价位竞争。
