与作为新一代功率半导体材料推进开发的SiC（碳化硅）及GaN（氮化镓）相比，氧化镓可以低成本制造高耐压、低损耗的功率半导体元件（以下简称功率元件），因此颇受关注。
功率器件用的外延晶圆需要具备两个条件，一是外延层表面的平坦性，二是控制低载流子浓度区域的浓度。此次采用了使用臭氧的“臭氧MBE法”成膜法。优化了结晶面的方位、掺杂剂的种类、生长温度、原料供应量等生长参数。能够实现1nm以下的表面粗糙度，并可获得1016/cm3载流子浓度区域。现已确认利用此次的外延晶圆，可以制造肖特基二极管（SBD）和晶体管。
