11月15日-17日，2016中国(北京)跨国技术转移大会暨第三代半导体国际论坛（以下简称“跨国技术转移大会”）在北京国际会议中心举行，第十三届中国国际半导体照明论坛并与之同期同地举行。其中，在11月17日召开的“碳化硅电力电子器件技术分会”现场，聚集了来自全球各地顶尖专家，高质量报告密集发布，亮点十足。
会上，来自日本名古屋大学教授宇治原徹分享了“高质量碳化硅的溶液生长”研究报告。
宇治原徹表示。如转换器和逆变器一般用于电力转换的电力电子设备是有效利用电能的核心技术。 SiC电子器件被认为是成为用于各种应用中的下一代低损耗功率转换设备的关键部件。
现有碳化硅晶体生长技术是依靠播种升华增长方法实行的。如今，现在市场上有几乎微管密度为零的4和6英寸的的晶片。
然而，在当前的技术中，晶体生长仍然容易出现高密度的扩展缺陷。因此减少这些缺陷是改善SiC器件性能的最优先问题。
液生长法被认为是产生高质量SiC晶体的有力方法。宇治原徹还在报告中阐述了溶液生长法的一些积极作用。对于块体晶体生长，通常执行顶部晶种溶液生长（TSSG）方法。在该方法中，晶体由碳坩埚中的硅基溶剂生长而成，过程中碳元素从坩埚进入溶剂。
然而缺陷修复的效果细节依然不清楚。最近，我们的X射线形貌实验揭示了穿透脱臼的愈合机制。在演讲中，他回顾脱位复位的机理、位错密度的控制以及“超高质量”的可能性。
