AIXTRON:“驱动未来科技”专题会议在SSLCHINA2019同期成功召开

AIXTRON:“驱动未来科技”专题会议成功召开

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美国弗吉尼亚理工大学助理教授Christina DIMARINO:高电压宽禁带功率半导体封装技术

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苏州锴威特半导体股份有限公司总裁丁国华:改进碳化硅MOSFET RONSP的器件结构和工艺研究

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国家电网杨霏教授:碳化硅高压电力电子器件及应用进展

国家电网全球能源互联网研究院功率半导体研究所副总工、教授杨霏分享了《碳化硅高压电力电子器件及应用进展》技术报告。

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美国NAURA-Akrion首席技术官Ismail I. KASHKOUSH:下一代半导体器件外延制备前期的衬底清理技术

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日本德岛大学周继禹:高铝组分的AlGaN/GaN异质结pH传感器

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比利时IMEC Denis MARCON:200mm/8英寸GaN功率器件和基于GaN的电路技术

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美国Transphorm高级副总裁YifengWU:击穿电压超过650V同时结温超过150°C的氮化镓功率器件

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加拿大GaN Power副总裁兼联合创始人傅玥:氮化镓:启动未来

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日本德岛大学教授敖金平:常关型AlGaN/GaN HFET功率器件的发展

日本德岛大学教授、西安电子科技大学特聘教授敖金平分享了《常关型AlGaN/GaN HFET功率器件的发展》技术报告。

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德国ALLOS Semiconductors首席技术官Atsushi NISHIKAWA:通过高品质硅基氮化镓外延以实现无碳掺杂的高隔离性和高动态表现

德国ALLOS Semiconductors首席技术官Atsushi NISHIKAWA分享了《通过高品质硅基氮化镓外延以实现无碳掺杂的高隔离性和高动态表...

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加拿大多伦多大学教授吴伟东:用于增强型GaN功率晶体管的智能门极驱动芯片

加拿大多伦多大学教授吴伟东分享了《用于增强型GaN功率晶体管的智能门极驱动芯片》研究报告。吴伟东,多伦多大学电子与计算机...

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中国科学院微电子研究所汤益丹:大电流1.2kV SiC JBS器件浪涌能力电热分析

中国科学院微电子研究所汤益丹:大电流1.2kV SiC JBS器件浪涌能力电热分析

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日本福井大学教授Masaaki KUZUHARA:基于半绝缘氮化镓衬底生长的高击穿电压氮化镓HEMT器件

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英诺赛科研发中心副总裁David C. ZHOU:200mm 40V-650V E型硅基氮化镓材料功率器件技术:从器件、封装、到系统

英诺赛科研发中心副总裁David C. ZHOU:200mm 40V-650V E型硅基氮化镓材料功率器件技术:从器件、封装、到系统

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加拿大CROSSLIGHT半导体软件公司创立人兼总裁李湛明:宽禁带器件的设计和TCAD模拟

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IFWS2019:功率电子器件及封装技术分会Ⅱ成功召开

2019年11月25-27日,第十六届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA 2019)暨2019国际第三代半导体论坛(IFWS 2019)在深圳会展中...

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IFWS2019:功率电子器件及封装技术分会Ⅰ成功召开

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科锐与意法半导体扩大并延伸现有SiC晶圆供应协议

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中科大孙海定课题组利用衬底斜切角调控量子阱实现三维载流子束缚,突破紫外LED性能

中国科学技术大学孙海定和龙世兵课题组和中国科学院宁波材料所郭炜和叶继春课题组在高衬底斜切角(4度)蓝宝石衬底上成功外延...

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