11月16日，围绕氮化镓及其它新型宽禁带半导体电力电子器件技术设置的专题分会，由山东大学校长、教授张荣，北京大学物理学院教授、北京大学宽禁带半导体联合研究中心主任张国义，美国弗吉尼亚理工大学教授、美国工程院院士Fred C. LEE联合坐镇，召集了全球顶级专家精英，打造一场氮化镓等第三代半导体电力电子器件的盛会。会议现场十分火爆，受场地限制，很多与会代表都站着听完会议，火爆程度可想而知！
会上，来自中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员孙钱介绍了“硅衬底p-GaN栅生长的常关型GaN基HEMT器件”研究报告。
孙钱是中国科技大学材料物理学士（郭沫若校长奖获得者）、美国耶鲁大学博士（工学院Becton奖获得者），国家技术发明一等奖获得者，国家优秀青年科学基金获得者，中组部首批国家“青年千人计划”。现任中科院苏州纳米所研究员、博导、器件部副主任，兼任晶能光电有限公司研发副总裁。
长期致力于第三代半导体氮化镓GaN基材料生长与蓝白光与紫外LED、激光器、及电力电子器件的研发及产业化。迄今为止，在Nature Photonics、Nanotechnology、Applied Physics Letters等期刊上发表了70余篇SCI收录的学术论文。主持承担了科技部重点研发计划课题、863计划课题、工信部电子信息产业发展基金项目、中国科学院前沿科学重点研究项目、江苏省科技成果转化专项等。
公认的CaN基功率器件最有前景的商业化方式是直接生长在低成本大直径的硅片上。在分会的报告中，孙钱研究员介绍了采用多层AlN/AlGaN来克服在Si上生长无缝的高品质Ga(Al)N时产生的晶格常数和热膨胀系数的严重失配。对高阻抗的Ga(Al)N进行碳掺杂与其电击穿特性的相关性。
对于GaN基功率器件的实际应用，增强模HEMT能够有效地避免失效，并且简化电路。由于技术手段的不足，p-GaN门的生产通常不采用HEMT。为有效控制阈值电压，并且降低2DEG特性的退化，对p-GaN进行有效的Mg掺杂，并且减小扩散。在非门区域对p-GaN层进行刻蚀，有很好的一致性。
此外，会上还将介绍了生产的p-GaN gate HEMTs的器件特性。
