11月15日-17日，2016中国(北京)跨国技术转移大会暨第三代半导体国际论坛（以下简称“跨国技术转移大会”）在北京国际会议中心举行，第十三届中国国际半导体照明论坛并与之同期同地举行。其中，在11月17日召开的“碳化硅电力电子器件技术分会”现场，聚集了来自全球各地顶尖专家，高质量报告密集发布，亮点十足。
会上，来自韩国东义大学Won-Jae LEE 教授介绍了韩国SiC相关研究小组的最近研发现状。
Won-Jae LEE表示，碳化硅是电子和光电应用的一种重要的半导体材料，也是下一代电力电子材料的关键，相比传统的硅基电子器件，它显示出强大的潜力，前景光明，优势明显。
在过去的几十年里，SiC功率器件的商业化项目系统不断增加扩大。SiC晶体缺陷的减少以及制备SiC基器件/系统的成本降低对产业的有效实施，生产以及市场创造发挥了重要的作用。
许多研究小组包括韩国多家大公司已经研发出高质量的大直径SiC晶体和功率器件，如二极管、三极管。自2010年以来，韩国政府支持的国家计划已经启动，批量生产6英寸的SiC晶片和功率器件。许多新公司，如电子和车辆公司对未来的碳化硅业务产生了浓厚的兴趣。随后将对其SiC研发小组DEU做以简单介绍。
