在今年一年一度的半导体照明国际盛会--第十三届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA2016）期间。在 “材料与装备技术分会”聚拢了该领域一大批国际专家和企业家，畅谈产业核心材料及重大装备新进展，聚焦国产化装备及材料新进展。分会主持由中科院半导体研究所研究员、中科院半导体照明研发中心副主任王军喜和佐治亚理工大学教授Russell Dupuis共同担任。
会上，来自美国新泽西理工学院电子与计算机工程系助理教授Hieu P T NGUYEN分享了“III族氮化物纳米线LED和激光器：下一代照明技术”主题报告。
Hieu P T NGUYEN表示，未来固态照明的一大挑战是所有基于半导体的全彩色LED的发展，包括单片集成蓝色，绿色，和红色的器件，这些器件具有超高效、长期稳定性和颜色可调发射。采用了常规的GaN基量子井异质结器件，然而，已经被他们的低效率和绿色到红色光谱范围的效率下降严重限制了。
最近的研究表明，这些关键的挑战可以通过使用III族氮化物纳米线异质结构解决。在此背景下，我们研究了InGaN / GaN / AlGaN点在纳米核壳结构的外延和内在特征，在几乎无缺陷的GaN纳米线中结合自组织的InGaN量子点，实现内在的白光发射。
通过设计载流子动力学，我们表明，此种III族氮化物纳米线LED可以在蓝色，绿色和红色光谱范围内呈现出高效率的发射。我们已经证明，无磷纳米白光LED可进行高输出功率操作，可在暖色和冷色的白色区域提供前所未有的高显色指数~ 92-98。我们还发明了单片集成高效RGB LED技术，包括硅和蓝宝石衬底。
Hieu P T NGUYEN现场透露：“我们已经实现了可控、可调的彩色光震荡。相关色温可在1900 K到6800 K的范围内连续变化，同时保持优良的显色指数（CRI＞90）能力。这种高效率，颜色可调，小尺寸的LED阵列非常适合于智能照明和全彩色显示。也将讨论III族氮化物纳米线异质结构可使高效固态紫外灯取代传统水银灯，用于水净化和消毒潜力。也将展示导体激光器在 UV-B (280-315 nm) and UV-C (200-280 nm)上的初步操作。”
