2017年11月1日，由北京市顺义区人民政府、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）和国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）主办的第十四届中国国际半导体照明论坛暨 2017 国际第三代半导体论坛开幕大会在北京顺义隆重召开。开幕式上，美国弗吉尼亚理工大学教授，美国电力电子工程中心主任，美国工程院院士Dushan BOROYEVICH 则带来关于创新型高功率电力电子发展的主题报告，分享了相关技术的发展动态。
高功率电力电子将成为国家科技战略布局的重要方向，Dushan BOROYEVICH表示，第三代半导体半导体材料不仅提高了效率、功率，更给我们打开了非常多的可能性。我们都希望电子产品器件能变的越来越小，但是却希望它功率能够越来越大，能够提供更好的效率和服务。我们要看看如何能够量化，或者说如何能够更好地进入这个市场。
Dushan BOROYEVICH详细介绍了关于碳化硅MOSFET、氮化镓等的测试研究，并结合美国能源项目局资助的使用创新半导体的项目，分析了高能耗和高功率的碳化硅MOSFET模型的应用过程以及研究结果。他表示，电压在500伏以下，硅基氮化镓的使用是更合适的，而更高频的模具和转换器也是一定要开发出来的。
他同时表示，电网互联网是一个全新的游戏，我们可以做一些原来没有做的努力尝试，比如，如果现在把这些开关的频率变成100赫兹或者10或者几十的赫兹就是完全不一样的情况，不仅仅是元件，还有它的周边也需要改变。我们还有很多可以做的，对于投资者也是很好的风口。
