2017年11月1日-3日，第十四届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA2017）暨 2017 国际第三代半导体论坛（IFWS 2017）在北京顺义隆重召开。论坛由国家半导体照明工程研发及产业联盟、第三代半导体产业技术创新战略联盟、北京市顺义区人民政府主办，中关村科技园区顺义园管理委员会、北京半导体照明科技促进中心和北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办。论坛同时得到了科技部、发改委、国标委和北京市科委等主管部门的大力支持。
11月2日下午，SSLCHINA 2017之材料与装备技术分会如期举行。中微半导体设备（上海）有限公司、北京北方华创微电子装备有限公司、德国爱思强股份有限公司、维易科精密仪器国际贸易（上海）有限公司为本次分会提供了协办支持。
美国密歇根大学教授Pei-Cheng KU，挪威科学技术大学教授、挪威科学技术院院士Helge WEMAN，北京大学教授陈志忠、南昌大学教授刘军林、中微(上海)有限公司主任研究员胡建正、北京北方华创微电子装备有限公司第一刻蚀BU副总经理刘利坚，德国爱思强股份有限公司副总裁Michael HEUKEN、美国维易科精密仪器有限公司市场营销总监Mark MCKEE等来自中外的强势力量联袂带来精彩报告。中科院半导体研究所研究员、中科院半导体照明研发中心副主任王军喜，河北工业大学教授毕文刚共同主持了本次分会。
MOCVD设备作为LED领域最为重要的装备，其发展一直是业内关注的焦点，近些年中国设备厂商进步明显。会上，中微(上海)有限公司主任研究员胡建正分享了介绍了基于高产率MOCVD平台 - AMEC Prismo A7TM的氮镓LED生长研究。胡建正主要研究基于GaN材料的LED器件设计、性能及可靠性分析。主要参与进行了中微第一代及第二代MOCVD的设计、工艺开发及客户技术支持。
人们一直在努力降低III族氮化物器件的成本。利用高产率的MOCVD平台是降低成本的关键因素之一，当前PSS是主流方式，近期中微推出了其高产率MOCVD平台 -AMEC Prismo A7TM，主要用来进行氮化镓LED外延加工以及其他应用。每台Prismo A7TM设备可容纳多达4个反应腔，同时加工136片4英寸外延晶片，并且每个反应腔都可以独立控制。
为进一步达到优化性能、提高产量并降低生产成本的目标，中微在反应腔设计时特别关注氮化镓外延的关键工艺要求，包括工艺均匀性、设备可靠性、工艺重复性、简单操作性等。报告中，胡建正介绍了中微的一些最新设备数据，以及性能提升之处，并详细分享了高产率4”外延片的生产过程以及6”蓝宝石衬底LED的生长的结果。
为进一步达到优化性能、提高产量并降低生产成本的目标，中微在反应腔设计时特别关注氮化镓外延的关键工艺要求，包括工艺均匀性、设备可靠性、工艺重复性、简单操作性等。报告中，胡建正介绍了中微的一些最新设备数据，以及性能提升之处，并详细分享了高产率4”外延片的生产过程以及6”蓝宝石衬底LED的生长的结果。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
