2017年11月1日，由国家半导体照明工程研发及产业联盟、第三代半导体产业技术创新战略联盟、北京市顺义区人民政府主办的第十四届中国国际半导体照明论坛暨 2017 国际第三代半导体论坛开幕大会在北京顺义隆重召开。
会期两天半，同期二十余场次会议。2日上午，由中国电子科技集团第十三研究所和专用集成电路重点实验室共同协办的“氮化镓功率电子器件”技术分会上，来自北京大学微电子学院陶明分享“高击穿电压高和低电流崩塌的常关硅基GaN MOSHEMT”新进展报告
陶明目前在北京大学（中国北京）信息科学与技术学院攻读微电子学与固体电子学博士，主要从事硅基GaN功率器件的研究。
本次报告，她主要介绍了一种无等离子体、自停止的栅刻蚀技术，在优化的HEMT结构上实现了高性能的增强型GaN MOSHEMT。
她表示，栅漏间距15μm的增强型GaN MOSHEMT在栅电压8V下的最大饱和电流密度为396mA/mm，器件的开关比大于109，亚阈值摆幅为80mv/dec。栅压10V下的栅漏电低于10-7 mA/mm。15μm栅漏间距器件的关态击穿电压为1532 V，比导通电阻为2.48 mΩ.cm2，对应的Baliga优值因子为945 MW/cm2。器件的动态导通电阻在10ms脉宽（100μs周期）、400V关态漏极电应力下仅仅是静态导通电阻的1.6倍。
该增强型器件的优异性能主要得益于材料结构设计以及高质量LPCVD Si3N4钝化在内的先进工艺流程。（根据现场速记整理，如有出入敬请谅解！）
