随着LED光效的提高，一方面芯片越做越小，在一定大小的外延片上可切割的芯片数越来越多，从而降低单颗芯片的成本，另一方面单芯片功率越做越大，如现在是3W，将来会往5W、10W发展。这对有功率要求的照明应用可以减少芯片使用数，降低应用系统的成本。倒装法、高电压、硅基氮化镓仍将是半导体照明芯片的发展方向。
会议现场
2017年11月1日-3日，第十四届中国国际半导体照明论坛暨 2017 国际第三代半导体论坛在北京顺义隆重召开。论坛由国家半导体照明工程研发及产业联盟、第三代半导体产业技术创新战略联盟、北京市顺义区人民政府主办，中关村科技园区顺义园管理委员会、北京半导体照明科技促进中心和北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办。论坛同时得到了科技部、发改委、国标委和北京市科委等主管部门的大力支持。
2日下午，由华灿光电、科锐光电、欧司朗、旭宇光电、北京康美特、易美芯光、有研稀土、乾照光电、北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室共同协办支持的“芯片、封装与模组技术分会上，来自中南大学教授汪炼成做了主题为“采用湿法刻蚀GaN微金字塔结构Q值超过6000的光泵激光”的报告。
报告中介绍了一种新型的基于全湿法化学腐蚀获得的高品质因子的垂直结构金字塔GaN光学微腔。在紫外常温光泵下观察到多模式激射，如在367.2 nm波长的模式激射，具有低的阈值 （(0.4-0.5MW/cm2）和窄线宽（0.054 nm）和高品质因子（超过6000）。
此高性能的光学GaN微腔主要受益于其独特的微米金字塔制备方式。相比已经报道过GaN微腔，此新型金字塔微腔具有以下特点：1.传统GaN微腔制造一般通过干法蚀刻得到，有损材料的晶体质量。此金字塔微腔完全为湿法化学蚀刻得到，能在一定程度上“过滤”材料位错和缺陷，从而提高其晶体质量；2.由湿法蚀刻得到的金字塔微腔具有光滑晶面，和底部的Ag基反射镜能共同形成良好的光学限制，而无需传统GaN微腔制备的复杂底切蚀刻工艺。（根据现场速记整理，如有出入敬请谅解！）
