半导体事业部SiC器件产业建设团队在时间紧、任务重、无成熟经验可借鉴的情况下，攻坚克难，通过缜密繁杂的各方协调、积极推进，先后安全完成工艺、检测、测试设备搬入、调试，SiC线的特殊厂务系统调试等一系列高难度、高危险的任务，为SiC工艺设备提供源源不断、稳定可靠的“粮食”供应。12月份，在各方共同努力下完成了最后一项工艺能力调试。目前，该芯片线厂务、动力、工艺、测试条件都已完备，具备SiC产品生产条件，可同时开展高温离子注入工艺、栅极氧化氮化工艺等SiC 器件特有工艺的生产线之一。该芯片线可以实现4寸及6寸SiC SBD、PiN、mosFET等器件的研发与制造。
SiC芯片线的工艺调试按时完成，助力公司半导体产业抢占市场先机，布局前沿技术领域，标志着我国SiC芯片产品的研发和制造能力获得了跨越式的发展，也使得国产SiC芯片在国际上的竞争力得到大幅度提升。
时代电气半导体事业部SiC芯片线已于12月份完成全部工艺能力调试。该芯片线是国内首条6英寸SiC芯片生产线，总建设投资3.5亿人民币，是公司的重点投资项目，同时也获得了国家“02”专项、国家发改委新材料专项等国家重点项目支持。
半导体事业部SiC器件产业建设团队在时间紧、任务重、无成熟经验可借鉴的情况下，攻坚克难，通过缜密繁杂的各方协调、积极推进，先后安全完成工艺、检测、测试设备搬入、调试，SiC线的特殊厂务系统调试等一系列高难度、高危险的任务，为SiC工艺设备提供源源不断、稳定可靠的“粮食”供应。12月份，在各方共同努力下完成了最后一项工艺能力调试。目前，该芯片线厂务、动力、工艺、测试条件都已完备，具备SiC产品生产条件，可同时开展高温离子注入工艺、栅极氧化氮化工艺等SiC 器件特有工艺的生产线之一。该芯片线可以实现4寸及6寸SiC SBD、PiN、MOSFET等器件的研发与制造。
SiC芯片线的工艺调试按时完成，助力公司半导体产业抢占市场先机，布局前沿技术领域，标志着我国SiC芯片产品的研发和制造能力获得了跨越式的发展，也使得国产SiC芯片在国际上的竞争力得到大幅度提升。
