2018年10月23日-25日，第十五届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2018）暨2018国际第三代半导体论坛（IFWS 2018）在深圳会展中心盛大召开。24日，“Micro-LED与其他新型显示技术”分会聚集了国内外知名专家和企业代表，共同探讨了Micro-LED等新型显示技术前沿进展。
“Micro-LED与其他新型显示技术分会”作为论坛重要分会之一，今年继续设定为“主题日”活动。分会得到了爱思强、德豪润达、国星光电、晶科电子的支持协办。上半场，来自加拿大滑铁卢大学William WONG教授、香港科技大学首席教授刘纪美、北京大学陈志忠教授、复旦大学张树宇副教授、广东德豪润达电气股份有限公司LED芯片事业部产品经理桑永昌、俄罗斯STR 集团有限公司Mark RAMM；下半场，由来自台湾交通大学佘庆威博士、南方科技大学副教授刘召军、厦门大学电子科学系教授，福建省半导体照明工程技术研究中心副主任吕毅军、北京工业大学教授郭伟玲、南京大学电子科学与工程学院教授刘斌、德国爱思强产品管理总监Jens VOIGT、复旦大学副教授田朋飞等国内外知名专家学者企业代表为分会奉献了高水准研究报告。
台湾交通大学佘庆威博士他在会上分享了《可实现全彩微显示的新型微结构LED》研究报告。他介绍说，我们研究了一种新型微结构Nano-Ring (NR) LED，首先通过改变NRLED的环壁厚度，可以实现发光波长从480nm蓝光到535nm绿光的变化，接着在蓝光NRLED上喷涂红色量子点材料进行色彩转换，即可在同一材料上实现RGB全彩微显示。
并且，我们对NRLED的发光效率以及量子点材料的色转换效率进行了改善与提升。为了提高NRLED芯片的发光效率，我们利用原子层沉积ALD技术，在NRLED芯片的侧壁上沉积不同厚度的氧化铝保护层，再通过对比不同厚度保护层对芯片发光性能的改善程度，得到最优化的ALD层厚度以及光效最高的NRLED芯片。
为了增加量子点材料的色转换效率，我们采用高精度AJ量子点喷涂技术杜绝相邻像素间量子点沉积时的串扰现象，并且开发DBR反射板覆盖于量子点色转换层上，实现激发光的重复利用并且增加量子点材料的发光强度，我们还通过喷涂量子点材料与NRLED芯片的有源区进行直接接触，利用非辐射能量转移现象进一步实现量子点色转换效率的跃升。【根据资料整理，如有出入敬请谅解！】
