本届论坛将以“创芯聚智 共享生态”主题，其中，IFWS 2018围绕第三代半导体的前沿发展和技术应用，设置了包括固态紫外器件技术、碳化硅材料与电力电子器件技术、氮化镓材料与电力电子器件技术等多个专场分会重点讨论。全面覆盖行业基础研究、衬底外延工艺、电力电子器件、电路与模块、下游应用的创新发展，提供全球范围的全产业链合作平台。
10月25日上午，IFWS 2018之“功率器件封装与应用”分会召开。分会主题涵盖宽禁带半导体电力电子器件封装设计、工艺、关键材料与可靠性评价等方面，邀请国内外知名与家参加本次会议，充分展示宽禁带半导体电力电子器件封装技术及其可靠性评价的最新进展。
法国国家科学研究中心(CNRS)科学家Cyril BUTTAY，天津大学材料科学与工程学院教授、弗吉尼亚理工大学终身教授陆国权，西安交通大学教授王来利，重庆大学教授叶怀宇，南京电子器件研究所宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室副主任、研究员黄润华，中国科学院电工研究所研究员宁圃奇，香港应用科技研究院有限公司电子元件部高级经理李天河等中外同行专家，带来精彩报告，并分享各自的最新研究成果。天津大学材料科学与工程学院教授、弗吉尼亚理工大学终身教授陆国权主持了本届分会。
现如今，功率半导体芯片正在从硅基向宽禁带半导体材料发展，其工作温度预计将会超过300摄氏度。为了保证功率半导体器件正常工作以及提高其可靠性和寿命，研究适应高温、高功率的封装非常有必要。纳米银是完美的解决方案，然而昂贵的价格限制其只能在军工或者高端产品上使用。纳米铜作为替代方案，烧结后其性能与纳米银相差不大，且价格适中。适用于大规模的工业应用。
会上，重庆大学教授叶怀宇分享了纳米铜用于功率半导体封装的工艺研究的最新成果。他表示，其研究团队系统地研究了纳米铜烧结的条件，以期探究达到最佳性能的工艺参数。芯片与铜之间的热膨胀系数（CTE）差异很大，高温下产生的应力会导致封装失效，通过磁控溅射的方式在芯片表面镀金属（镍、钼、钛），研究了中间层对于纳米铜烧结层的影响。此外，在空气、氮气、氩气的环境中烧结，研究了气氛对于纳米铜烧结过程中的影响。温度也是重要的参数，提高温度可以增大烧结驱动力，其团队分别研究了200--300℃下纳米铜烧结层的性能。此外，300℃时氮气环境中，还研究了无压力、5Mpa、10MPa下烧结层的性能。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
