第三代半导体氮化镓微波器件具备高频、高效、大功率等特点，在新一代移动通信中应用潜力巨大。这一特定领域的突破标志着宽禁带半导体产业迈向新的高地。谁掌握着技术的高地，谁就拥有更多的话语权。
2018年10月23-25日，第十五届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2018）暨2018国际第三代半导体论坛（IFWS 2018）在深圳会展中心举行。其中，24日上午由中国电子科技集团第十三研究所、苏州能讯高能半导体有限公司支持协办的“第三代半导体微波射频技术分会”在河北半导体研究所副所长蔡树军和苏州能讯高能半导体有限公司董事长张乃千共同主持下成功召开。
“第三代半导体微波射频技术分会”作为论坛重要技术分会之一，河北半导体研究所副所长蔡树军和苏州能讯高能半导体有限公司董事长张乃千共同担任本次分会主席。日本德岛大学教授，西安电子科技大学教授敖金平、荷兰安谱隆有限责任公司晶圆级可靠性专家陶国桥等专家担任分会委员为分会提供坚实的支持。
会上，OMMIC公司董事长、巴黎高等电子研究所终身教授Marc Christian ROCCHI（四川益丰基础研发部部长王祁钰代讲）介绍了《100nm and 60 nm Si 上GaN MMIC工艺和产品》主题报告。
报告中介绍说，随着5G 28GHz和39GHz移动系统等先进毫米波通信应用的出现，要求开发高性能宽带隙MMIC工艺和产品。在这方面，我们在Ommic已经能够展示惊人的mmW MMIC结果使用100nm和60nm Si上GaN应用于20 GHz到90GHz的发射和接收。使用Si上GaN相当于GaN上SiC工艺的性能，但成本明显较低，能够满足基础设施网络和手持设备的经济性和性能要求。
演讲中，首先从射频性能和可靠性的角度来综述GaN on Si工艺。介绍了各种10W功率放大器在30GHz和39GHz的性能，PAE高达35%，增益23 dB。和从20到34 GHz有20dB增益和1.5 dB NF的宽带LNAs。最后，还分享了用30GHz 5W和2.7dB NF T/R芯片以及600mW 90GHz功率放大器工艺的性能。【根据会议资料整理，如有出入敬请谅解！】
