11月26日下午，“衬底、外延及生长装备” 分会如期召开。本届分会由中微半导体设备（上海）股份有限公司、苏州锴威特半导体股份有限公司、中国电子科技集团第十三研究所、国家电网全球能源互联网研究院有限公司、英诺赛科科技有限公司协办。
碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）是重要的第三代半导体材料，在大功率高频器件中具有重要的应用，其材料水平直接决定了器件的性能。本届分会涵盖碳化硅和GaN生长材料、衬底、同（异）质外延薄膜、测试表征和相关的设备，对SiC和GaN从机理到工业化进程进行系统的探讨。
日本国立材料研究所SPring-8 BL15XU线站站长、东京工业大学兼职教授坂田修身，美国亚利桑那州立大学助理教授鞠光旭，俄罗斯STR Group, Inc.资深研发工程师Andrey SMIRNOV， 郑州大学Mussaab I. NIASS，德国ORCHESTRA总裁Guido COLOMBO，美国Aymont Technology Inc总裁Larry B. ROWLAND，美国NAURA-Akrion, Inc.首席技术官Ismail I. KASHKOUSH，厦门大学副教授林伟，中国科学院半导体研究所何亚伟等来自中外的强势力量联袂带来精彩报告。北京大学物理学院教授、理学部副主任沈波，山东大学教授、晶体材料国家重点实验室副主任徐现刚共同主持了本次分会。
会上，美国NAURA-Akrion, Inc.首席技术官Ismail I. KASHKOUSH分享了基于碳化硅器件制造的先进化学浓度控制技术的研究成果。 在传统的MEMS制备中，相对惰性化合物（比如Si3N4）通常用于刻蚀停止或者制备衬底中的掩膜。然而这种材料需要了解刻蚀对于衬底的选择性。对于过去的20年，研究发现碳化硅（SiC）因为其化学性质比较惰性已经可以作为传统批量微加工刻蚀停止的替代物。包括燃料雾化器，压力传感器和微型模具等MEMS应用中可以使用典型的湿性刻蚀技术并采用SiC的优异化学特性。
对于这些应用，通常衬底和牺牲层都是Si或者SiO2。SiC可以直接生长在已经刻蚀的基底或者生长在化学处理工序之前的基底之上。一项针对先进化学控制的技术对于维持持续性刻蚀速率、可控刻蚀深度、维持原有纹理的形状是至关重要的，使用NIR技术可以监测冲洗中的化学物浓度以及Si和SiO2刻蚀副产品。
这项技术可以延长刻蚀液的使用寿命并增强刻蚀过程的连续性。新的系统可以跟踪浓度刻度并抽取一定量的旧刻蚀液并加入等量的新刻蚀液以维持整个冲洗过程中刻蚀液的纯度和浓度。
报告中，展示了先进浓度控制技术的机制，研究结果基于使用TMAH或KOH去刻蚀Si的数据，同时这项研究的相关应用也可以用于SiC集成器件。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
