11月26日上午，“Micro-LED与其他新型显示技术”分会如期召开。本届分会由山西中科潞安紫外光电科技有限公司、华灿光电股份有限公司、德国爱思强股份有限公司、北京北方华创微电子装备有限公司协办。
法国原子能委员会电子与信息技术实验室研究主任Francois TEMPLIER，北京大学教授陈志忠，德国ALLOS Semiconductors首席技术官Atsushi NISHIKAWA，美国Lumiode, Inc.创立者兼总裁Vincent LEE，北方华创PVD事业部LED产品经理郭冰亮，和莲光电科技股份有限公司董事长邰中和，南京大学电子科学与工程学院副院长、教授刘斌，德国Instrument Systems optische Messtechnik GmbH的Tobias STEINEL等来自中外的强势力量联袂带来精彩报告。
北京大学教授陈志忠做了题为“针对每平方厘米kW级别的高功率microLED三维热量传输研究”的主题报告，报告指出，在蓝宝石和GaN衬底上制造了不同尺寸的mLED。 通过正向电压法，热瞬态测量和红外热成像研究了mLED的3D热特性。在电流注入水平为4 kA / cm2的情况下，GaN衬底上的mLED的结温比蓝宝石衬底上的mLED低约10oC，K因子的幅度较小。 红外热成像结果表明，温度均匀分布在GaN衬底上。热瞬态测量表明，GaN衬底上的mLED的台面，外延层和GaN /衬底界面的热阻显着降低。这意味着高质量的GaN晶体和均匀的界面对应于声子的很少散射。结合了GaN基板的小型mLED可以成为高亮度显示和可见光通信的理想选择。
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