第三代半导体材料在紫外器件中具备其他半导体材料难以比拟的优势，展现出巨大的应用潜力。
近日，由深圳市龙华区科技创新局特别支持，国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）主办，深圳第三代半导体研究院与北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办的第十六届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2019）暨2019国际第三代半导体论坛（IFWS 2019）在深圳会展中心召开。
期间，山西中科潞安紫外光电科技有限公司与中微半导体设备（上海）股份有限公司协办的“固态紫外器件技术”分会如期召开。分会重点关注以氮化铝镓、氮化镓为代表的紫外发光材料，以碳化硅、氮化镓为代表的紫外探测材料，高效量子结构设计及外延，以及发光二极管、激光器、光电探测器等核心器件的关键制备技术。
会上，郑州大学外籍教授Muhammad Nawaz SHARIF分享了《采用n-AlxGa1-xN低波导层连续分级生长的深紫外纳米线激光二极管光学约束优化》的方法，他认为通过设计并模拟了262nm深紫外纳米线激光二极管结构，提出了两种参数相同的结构，其n-WG分级不同。并且针对NW-LD1具有x=0.75的n-AlXGa1-xN波导层，NW-LD2具有x=0.75-0.66的n-AlXGa1-xN波导层的两种条件下，进行了模拟，结果表明，渐变n-WG比非渐变n-WG具有82%的光限域。连续分级使激活区域周围的实际指数平滑变化，从而产生线性电特性。通过结论证明了可以采用n-AlxGa1-xN低波导层连续分级生长能优化UVC LED材料生长，提高其光学特性。
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