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英诺赛科邹艳波:GaN助力LED驱动电源轻薄化

放大字体  缩小字体 发布日期:2021-10-25 来源:中国半导体照明网浏览次数:307
 第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力,优越的材料特性让氮化镓功率器件具有巨大的优势。更快的开关速度、更低的驱动损耗、更好的EMC特性等。与硅器件相比,氮化镓的高频特性提升了十倍以上,这将全面提高LED驱动电源系统工作频率,进而减小系统的体积,使LED驱动电源更小,更轻薄。
 
10月22日,中国半导体照明网、极智头条、半导体产业网在国家半导体照明工程研发及产业联盟指导下,在“NEPCON ASIA亚洲电子生产设备暨微电子工业展”同期,联合励展博览集团及业内知名机构组织筹办“以光汇友 智控未来——2021智能照明控制系统创新应用论坛”。
邹艳波
会上,英诺赛科高级产品应用经理邹艳波带来了题为“GaN助力LED驱动电源轻薄化”的主题报告,结合氮化镓的特性,分享了GaN在LED驱动电源领域的应用,如何轻薄化、高频助力磁器件的小型化、GaN提升系统工作频率、GaN提升系统效率等。




 
报告指出,在狭小空间内,温升也是一个严重制约应用的因素,氮化镓具备更低的开关损耗和更低的单位面积导通阻抗,可以提升LED电源的转换效率,降低系统发热,同时达到节能减排的收益,助力碳达峰和碳中和。
 
嘉宾简介
邹艳波先生,有着丰富的氮化镓器件应用于高频高密电源开发经验,原任职于ICT领域知名企业,从事手机、AI智能云服务器和5G通信设备的供电解决方案的前沿技术的研究和开发。现任英诺赛科市场应用高级经理 , 负责氮化镓器件产品定义和产品规划,构建公司氮化镓器件产品在5G通信,新能源汽车,智能手机,人工智能,大数据中心等战略新兴领域的竞争力。
 
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