本届大会特邀科技部副部长、国家制造强国建设领导小组副组长曹健林担任中方主席，外方主席为国际照明委员会主席Yoshi Ohno，组委会秘书长为国际半导体照明联盟(ISA)主席、国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）秘书长吴玲。目前开闭幕大会、技术分会等特邀嘉宾正在全球征集中。
据组委会最新消息，意大利帕多瓦大学的Matteo Meneghini博士将出席本次论坛，并在P203“可靠性与热管理技术分会”上将分享GaN LED高可靠性的研究成果。
Matteo Meneghini博士
在过去的10年间，由于GaN基LED发光效率高、内在稳健性优良及芯片尺寸较小而被证明为高功率光源制造的优选器件。因此，这类器件在多个领域得到广泛应用，包括通用、工业、汽车和生物医学照明等。这些应用要求高可靠性（寿命 > 50000 h）及流明输出的长期稳定性。有几项报告显示高功率LED可能会因为渐变或突发失效机制而发生过早衰减。
此次论坛上，Matteo Meneghini博士将通过介绍最新研究成果讨论造成GaN基高效率LED衰减的物理机制，包括非放射性缺陷及连接处产生分路而造成器件放射层衰减，荧光粉封装系统衰减，并导致LED色度属性减弱，由于静电放电和电气过应力而导致突发失效。同时报告参考了相关的最近研究文献，可以让业界同行对这一课题产生清晰的理解。
Matteo Meneghini拥有帕多瓦大学的电子和通信工程博士学位，主要研究GaN基LED和激光结构的优化。他现任帕多瓦大学信息工程系助理教授，主要研究方向是化合物半导体器件（LED、激光二极管、HEMT）的特性、可靠性和仿真。
在科研工作中，他曾发表200多篇期刊和会议论文。他还曾与多家半导体公司及研究中心进行合作和/或联合发表论文，其中包括：欧司朗、松下公司、恩智浦半导体(荷兰)、安森美半导体(比利时/美国) 、Universal Display Corporation(美国) 、Sensor Electronic Technologies(美国) 、比利时微电子研究中心(IMEC)、英飞凌(奥地利)、弗劳恩霍夫固体物理研究所(德国)、 剑桥大学(英国)、 加州大学圣芭芭拉分校(美国)、维也纳大学(奥地利)等。
此外，Matteo Meneghini是IEEE的高级会员，也是国际光学工程学会（SPIE）的会员。他曾与同事一起在多个国际会议上（包括ESREF、IWIN、ESSDERC、IEEE-IRPS）获得最佳论文奖。为奖励他在帕多瓦大学所进行的科学研究，他获得“2008年卡罗奥菲奖”（最佳青年研究员）。
