课题在6英寸SiC单晶生长炉的设计与制造、6英寸SiC单晶生长和衬底加工、SiC单晶缺陷分析与控制、SiC快速外延、肖特基二极管研制、SiC混合功率模块设计等方面取得了一系列进展：完成了6英寸SiC单晶生长炉设计与制造，并成功生长出n型4H-SiC单晶，加工出6英寸SiC抛光片；4英寸n型SiC微管密度0.3个/cm2，螺位错密度420个/cm2，XRD摇摆曲线（004）和（102）半峰宽分别为25.7弧秒和22.5弧秒；SiC衬底上同质外延材料掺杂浓度不均匀性2.1%，厚度不均匀性1.04%，表面粗糙度0.237 nm；肖特基二极管阻断电压高于1200V，反向漏电流0.7 μA，1.7V正向电压导通电流大于15A，部分关键指标已提前完成课题任务，为整个课题顺利验收奠定基础。
6英寸SiC单晶
1200V/15A SiC SBD
