围绕第三代半导体，今年跨国技术转移大会专门设置了多场分会，其中，11月16日下午举行的“第三代半导体与新一代移动通信技术”分会，围绕着第三代半导体与新一代移动通信技术展开多维度的探讨，涉及高性能GaN开关电源，GaN、SiC材料外延及电子器件等众多热点。来自Plasma-Therm技术推广总监、主任研究员David Lishan出席分会并带来“氮化镓基器件采用等离子切割的生产效益”主题报告。
David Lishan毕业于加州大学圣克鲁兹分校化学专业，取得加州大学圣塔芭芭拉分校固态电子工程博士学位。他长期工作于光刻、光化学和等离子体处理领域的材料、半导体、以及化学研发项目并发表出版过大量相关文章。他在Plasma-Therm已工作18年，现在是Plasma-Therm技术推广总监兼主任研究员。他的主要研究领域为针对研发、微机电系统、光子学、数据存储以及化合物半导体的应用程序的等离子体处理的应用。他现在拥有两个专利并已做过超过60篇出版文章和会议演讲报告。
David Lishan表示，制造商正在寻找的方法，以降低成本，提高氮化镓功率器件的采用率。模具切割工艺具有潜在的利益和改进空间。传统的切割方法使用锯片，但面临很大限制：模具损坏（剥落和开裂），限定宽度锯片的产量，锯片负荷和磨损以及串行处理。激光切割解决了一些问题，但热影响区，切割残留，生产量和材料的不相容性限制了它的使用。在某些情况下，锯和激光的结合已被用来克服一些技术障碍。
他表示，我们提出了一种新方法，采用进料侧等离子切割，避免了这些问题，解决薄晶片（＜150µm），适应GaN基层。我们的方法是利用狭窄的路宽（≤15µm）和采用低应力、圆角的芯片/无裂纹边缘。由于所有的路宽都是同时蚀刻，并由模具本身定义，可以实现的灵活的模具布局和模具形状。
同时，它使更多优良的芯片模组，更高的生产量和更好的芯片可靠性。例如，减少切割的路宽，从典型的75µm到15µm，为每个晶圆模组增加近11%的1mm2模组，减少裂止动环的附加成本。
David Lishan还表示，电力、内存、物流、成像传感器、LED、RFID、MEMS采用这种技术，需要解决一系列的变量，如材料的相容性、接合垫/凸起，过程控制/调整结构和里衬金属。并介绍了在特殊情况下的处理选项和方案，硅基氮化镓改进加工和包装进程。
