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江风益团队再结硕果 黄光LED芯片技术领跑国际

放大字体  缩小字体 发布日期:2017-01-25  来源:南昌大学  浏览次数:222
   1月22日下午,在乔迁新址的南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心,新华社、人民网、央广网、江西日报、江西卫视、中国江西网等10多家新闻媒体齐聚一堂,对工程中心一年来的工作重要进展进行集体采访。
  2016年1月8日,由工程中心牵头申报的“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”项目荣获2015年度唯一国家技术发明一等奖,习近平总书记亲自为江风益教授颁奖。2016年2月3日,习近平总书记视察南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心,肯定了科研人员攻科研难题和抓成果转化决心大、目标高、工作实、成效好,并勉励我校走创新发展之路。中共中央政治局委员、国务院副总理刘延东,中共中央政治局委员、中央书记处书记、中宣部部长刘奇葆分别于9月3日和10月14日调研考察南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心。
  深受鼓舞,砥砺前行
 
  一年来,工程中心在科学研究及技术攻关、重大科研课题申报、人才队伍和硬件条件建设等方面均取得了可喜的进展。
  继“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”项目获得国家技术发明一等奖之后,工程中心在黄光、绿光、下一代无荧光粉LED照明以及新型MOCVD高端装备等方面均取得新的突破。硅衬底黄光LED电光转换功率效率达到21.5%,远高于国外公开报道的最高水平(9.63%),处于世界领先水平,使我国LED技术处于“局部领跑”地位,而这一世界最好水平的获得正是基于中心自主研发的新一代MOCVD高端装备。这一新成果应邀在国际国内会议上作大会邀请报告6次,国际同行评价“amazing”(令人惊叹),国内同行评价“又一石破天惊的世界纪录”。
  硅衬底绿光LED电光转换功率效率达到40%,处于世界一流水平。基于Ag基反射镜的新型反极光红光LED工艺开发获得重要进展,拓展了研发方向。基于五基色LED合成的下一代LED照明技术已经达到实用化水平,正向着“全面领跑”目标迈进。硅衬底LED和MOCVD高端装备亮相“国家十二五科技成就展”,被列入“国家十三五节能环保产业发展规划”。
 
  2016年,工程中心在重大科研课题申报方面喜获丰收。由常务副主任刘军林研究员牵头、联合全国25家单位共同承担的国家重点研发计划“高品质、全光谱无机半导体照明材料、器件、灯具产业化制造技术”、副主任王光绪副研究员牵头的工业强基工程项目“硅衬底GaN基LED”、副主任丁杰研究员牵头的江西省重大研发专项“硅基高光效绿光LED芯片关键技术攻关及产业化”等成功立项,莫春兰研究员和王小兰副研究员各承担了1项国家重点研发计划项目子课题,全知觉副研究员获得1项国家自然科学基金面上项目,吴小明、张建立和王光绪等3位青年教师各获得1项国家自然科学基金青年项目。工程中心主任江风益教授提出的“工艺与设备协同”、“上中下游产业链协同”、“产学研协同”、“基础研究与技术开发协同”等四个方面的综合协同创新机制,正为工程中心的永续发展提供战略支撑。
  一年来,工程中心人才队伍层次得到显著提升。工程中心引进人才3名,其中1人作为学校高层次人才引进。中心主任江风益教授荣获2016年度“全国优秀共产党员”荣誉称号、江西省科学技术特别贡献奖等荣誉;常务副主任刘军林研究员入选国家科学技术部2016年“中青年科技创新领军人才”、“江西省第二批大学生创新创业导师”和南昌大学“215人才工程”赣江杰出教授,获批享受省政府特殊津贴。
 
  为改善工程中心的科研条件,在政府部门和学校的支持下,位于南昌市国家高新技术开发区的工程中心新大楼整体工程全面建成,设备搬迁和调试工作也已经初步完成,进入试运行阶段。“多发光,少发热”,从这里,硅基LED的“中国芯”将发出更加璀璨夺目的光芒,“照亮世界”的事业发展将步入新的快车道。
 
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关键词: 江风益 黄光LED 芯片
 
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