近年来，随着各种半导体发光材料和器件的不断发展，新型显示技术与照明技术的结合更加紧密，为未来显示与照明技术的交叉和多元化应用奠定了基础。从器件角度看，新型显示与照明技术所对应的发光器件包括：Micro-LED、有机发光二极管（OLEDs）、量子点发光二极管（QLEDs）、半导体激光器、钙钛矿发光二极管（PerLEDs），以及其他新型半导体发光器件。其中，Micro-LED近年来发展尤为迅速，未来发展可期。
2018年10月23日-25日，第十五届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2018）暨2018国际第三代半导体论坛（IFWS 2018）在深圳会展中心盛大召开。24日，“Micro-LED与其他新型显示技术”分会聚集了国内外知名专家和企业代表，共同探讨了Micro-LED等新型显示技术前沿进展。
本届论坛由国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、深圳市龙华区人民政府主办，国家科学技术部高新技术发展及产业化司、国家科学技术部国际合作司、国家工业与信息化部原材料工业司、国家节能中心、深圳市科技创新委员会和张家港高新技术产业开发区特别支持，深圳市龙华区经济促进局、深圳市龙华区科技创新局、深圳第三代半导体研究院、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办。
“Micro-LED与其他新型显示技术分会”作为论坛重要分会之一，今年继续设定为“主题日”活动。分会得到了爱思强、德豪润达、国星光电、晶科电子的支持协办。会上，来自加拿大滑铁卢大学William WONG教授分享了《通过薄膜晶体管和III-V光电器件的异质集成实现Micro-LED》研究报告。
他介绍到，基于氮化镓(GaN)基微光发射二极管(microleds)的新型显示技术有望使下一代发射显示器具有高亮度、低功耗和高分辨率，与现有的基于有机光发射二极管(OLEDs)的显示技术相比。除了在OLED显示器上的这些改进之外，Micro-LED与薄膜晶体管(TFT)设备的集成为高亮度和高分辨率柔性显示器提供了新的途径。
集成这些不同材料系统和器件的有希望的方法是通过优化晶体管和光发射器件，然后采用层转移技术将集成器件组合到柔性平台上。采用单掩模蚀刻工艺在蓝宝石衬底上制备了InGaN基微发光二极管，在4mm×4mm面积上形成8×8阵列的微发光二极管。单个微发光二极管的尺寸为150μm×150μm，其导通电压为2.5 V，驱动电流为5μA。采用激光剥离和低温键合工艺将微LED阵列转移到聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）衬底上。
在将微型LED集成到PET上之后，在170℃下制备了反相交错氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜晶体管(TFT)。C与微LED相邻，在PET衬底上形成像素电路，以产生分辨率为50 ppi的阵列。与传统的发射显示像素电路相比，这种配置潜在地提供更高的动态范围和降低的数据电压。使用20V的电源电压和4V至16V之间的数据电压使每个微LED像素的最大90μA驱动电流刷新率为60Hz。通过这种设计，在阵列内对单个像素进行寻址，证明了组合不同的薄膜技术以创建用于柔性显示应用的新型柔性电路的可行性。为了验证柔性微LED阵列的可靠性，并介绍了在各种弯曲环境下的性能参数。【根据会议资料整理，如有出入敬请谅解！】
