11月26日下午，“衬底、外延及生长装备” 分会如期召开。本届分会由中微半导体设备（上海）股份有限公司、苏州锴威特半导体股份有限公司、中国电子科技集团第十三研究所、国家电网全球能源互联网研究院有限公司、英诺赛科科技有限公司协办。
碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）是重要的第三代半导体材料，在大功率高频器件中具有重要的应用，其材料水平直接决定了器件的性能。本届分会涵盖碳化硅和GaN生长材料、衬底、同（异）质外延薄膜、测试表征和相关的设备，对SiC和GaN从机理到工业化进程进行系统的探讨。
日本国立材料研究所SPring-8 BL15XU线站站长、东京工业大学兼职教授坂田修身，美国亚利桑那州立大学助理教授鞠光旭，俄罗斯STR Group, Inc.资深研发工程师Andrey SMIRNOV， 郑州大学Mussaab I. NIASS，德国ORCHESTRA总裁Guido COLOMBO，美国Aymont Technology Inc总裁Larry B. ROWLAND，美国NAURA-Akrion, Inc.首席技术官Ismail I. KASHKOUSH，厦门大学副教授林伟，中国科学院半导体研究所何亚伟等来自中外的强势力量联袂带来精彩报告。,北京大学物理学院教授、理学部副主任沈波，山东大学教授、晶体材料国家重点实验室副主任徐现刚共同主持了本次分会。
中国科学院半导体研究所何亚伟做了题为“基于深层瞬态光谱学的Al/Ti 4H-SiC肖特基结构缺陷研究”的主题报告，介绍了晶圆生长中的深层缺陷，退火对深层缺陷的影响，碳注入以增加载流子寿命等内容。报告指出，表面粗糙度随退火温度的不同而变化，特别是当温度达到1400℃时，表面粗糙度开始急剧下降。载流子寿命随着退火温度的升高而降低。氧化有效降低了Z1 / 2缺陷浓度，但产生了一些新的深能级。碳注入和随后的退火可以改善载流子的寿命，但同时也受到样品表面严重降解的限制。碳注入和随后在1600℃下退火的技术是延长载流子寿命的最佳方法。较高的退火温度导致较高的Z1 / 2缺陷浓度。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
