当前位置: 首页 » 资讯 » 产业资讯 » 产业 » 正文

瑞典隆德大学教授Lars SAMUELSON:针对MicroLED和自形成光子结构的纳米线应用

放大字体  缩小字体 发布日期:2019-11-29 16:02   来源:中国半导体照明网  浏览次数:385
 2019年11月27日下午,由国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)、第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)主办的第十六届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA 2019)暨2019国际第三代半导体论坛(IFWS 2019)在深圳会展中心顺利落下帷幕。

本届论坛由国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)、第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)主办,并得到深圳市龙华区科技创新局特别支持。国家科学技术部高新技术司、国家科学技术部国际合作司、国家工业和信息化部原材料工业司、国家节能中心、国家新材料产业发展专家咨询委员会、深圳市科技创新委员会等大力支持。深圳第三代半导体研究院与北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办。
瑞典隆德大学教授、瑞典皇家科学院院士、Glo AB创始人Lars

闭幕式上,瑞典隆德大学教授、瑞典皇家科学院院士、Glo AB创始人Lars SAMUELSON带来了题为“针对MicroLED和自形成光子结构的纳米线应用”的精彩报告。

Lars SAMUELSON因对低维结构以及这些结构所带来的物理学和应用的研究而享誉国际。近年来,他的一直致力于研究通过自组装形成理想的一维半导体纳米线的新方法,它们的物理性质,以及纳米线在电子,光子学和生命科学中的应用。他还是QuNano AB, GLO AB, Sol Voltaics AB 和 Hexagem AB四所领域内企业的创建者和首席科学家。

纳米线技术能够提供为不同的3D器件结构独有的自由度,包含从针对径向LED的1D纳米线到垂直结构microLED中无C轴缺陷的平面结构制备。报告中,介绍纳米线microLED的制备,其中包括通过三元InGaN金字塔的可控重塑可产生c方向的松弛且无位错的InGaN片,从而构成可以直接发射蓝色,绿色和红色的垂直InGaN microLED等流程。同时,也介绍纳米材料的最新进展,其中包括了自形成的原子光滑且无位错的六角棱镜结构作为光子腔结构。

 

 

(内容根据现场资料整理,如有出入敬请谅解)


 
【版权声明】本网站所刊原创内容之著作权为「中国半导体照明网」网站所有,如需转载,请注明文章来源——中国半导体照明网;如未正确注明文章来源,任何人不得以任何形式重制、复制、转载、散布、引用、变更、播送或出版该内容之全部或局部。
 
[ 资讯搜索 ]  [ 加入收藏 ]  [ 告诉好友 ]  [ 打印本文 ]  [ 关闭窗口 ]

 
0条 [查看全部]  相关评论

 
关于我们 | 联系方式 | 使用协议 | 版权隐私 | 诚聘英才 | 广告服务 | 意见反馈 | 网站地图 | RSS订阅