期间，“显示工程应用” 分会如期召开。华灿光电股份有限公司副总裁李鹏做了题为《新一代显示用LED芯片技术研究与展望》的报告。该报告指出Micro LED器件结构较LCD和OLED来说，更加轻薄灵活，直接将RGB LED单元直接集成到TFT玻璃基板上，除了目前造价过高之外，在响应速度、对比度、亮度、可视角度等等方面都具备绝对的优势。
目前Mini RGB LED已经实现量产，Micro LED仍有待产业链上中下游的协同创新。到2025年，Micro LED市场规模将达到2.9B USD（HIS 数据）。
Micro LED核心技术包括：高度一致性的外延技术、微米级的芯片制造工艺、超高效的巨量转移技术、全彩实现技术、TFT、驱动及背板设计、高效的坏点检测修复技术。当前巨量转移的技术路线包括：静电吸附、电磁吸附、范德瓦尔斯力、流体装配、激光烧灼，其对最终生产效率有至关重要的作用。
Micro LED核心技术包括：高度一致性的外延技术、微米级的芯片制造工艺、超高效的巨量转移技术、全彩实现技术、TFT、驱动及背板设计、高效的坏点检测修复技术。当前巨量转移的技术路线包括：静电吸附、电磁吸附、范德瓦尔斯力、流体装配、激光烧灼，其对最终生产效率有至关重要的作用。
在外延芯片环节，量产面临的三大难点是：外延高度一致性、坏点减少及控制技术、增大衬底外延尺寸以提高有效面积。
华灿芯片产品涵盖垂直结构及倒装芯片，现有设备可以实现10微米芯片的表面加工工艺。现有红光Micro LED EQE可以达到13%。10-30 um的Micro LED已有Testing Demo。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
