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【IFWS2020】超宽禁带半导体技术发展与趋势

放大字体  缩小字体 发布日期:2020-11-11   来源:中国半导体照明网  浏览次数:511
2020年11月23-25日,第十七届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA 2020)暨2020国际第三代半导体论坛(IFWS 2020)将在深圳会展中心举行。本届论坛由国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)、第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)主办。南方科技大学与北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办。
超宽禁带半导体技术分会头图
以金刚石、氧化镓、氮化铝、氮化硼等为代表的超宽禁带半导体材料的研究和应用,近年来不断获得技术的突破。超宽带半导体材料具有更高的禁带宽度、热导率以及材料稳定性,在新一代深紫外光电器件、高压大功率电力电子器件等意义重大的应用领域具有显著的优势和巨大的发展潜力。
 
其中,超宽禁带半导体技术分会着重研讨超宽禁带半导体材料的制备、工艺技术、关键设备及半导体器件应用,旨在搭建产业、学术、资本的高质量交流平台,共同探讨超宽禁带半导体材料及器件应用发展的新技术、新趋势,积极推动我国超宽禁带半导体材料和器件应用的发展。
 
中科院微电子所教授、中国科学院院士刘明与山东大学晶体材料国家重点实验室主任、教授陶绪堂共同担任本届分会主席。西安电子科技大学科学研究院院长、教授张进成,中国科学技术大学微电子学院执行院长龙世兵,北京大学教授王新强,郑州大学教授刘玉怀,西安交通大学教授王宏兴等专家们担任分会委员。
 
日本国立佐贺大学同步辐射光应用研究中心主任、电气电子系教授郭其新,上海光学精密机械研究所研究员夏长泰,郑州大学教授、河南省电子材料与系统国际联合实验室国家电子材料与系统国际联合研究中心主任刘玉怀,湖北大学材料工程学院教授何云斌,西安交通大学副教授李强,AIXTRON中国区市场营销和工艺高级部门经理f方子文,山东大学晶体材料国家重点实验室副教授张雷,中国电科十三所重点实验室高级工程师王元刚等来自国内外的专家精英们围绕着超宽禁带技术的最新研究进展带来精彩分享,敬请期待。
 
本届论坛紧扣国家“新基建”、“十四五”等前瞻利好政策,以“把握芯机遇·助力新基建”为主题,届时两场国际性盛会同台亮相,先进技术热点高度聚焦,政产学研用行业领袖齐聚,共商未来产业发展大计。
 
11月23-25日,深圳会展中心见!
 
会议议程具体信息如下:
超宽禁带技术分会议程图
更多大会详细设置与内容请参加大会官网:
http://www.sslchina.org/
 
部分嘉宾
刘明
分会主席:刘明  中国科学院院士、中科院微电子所研究员
长期致力于微电子科学技术领域的研究,在存储器模型机理、材料结构、核心共性技术和集成电路的微纳加工等方面做出了系统、创造性贡献。代表性成果包括:建立了阻变存储器(RRAM)物理模型,提出并实现高性能RRAM和集成的基础理论和关键技术方法,产生重要国际影响。拓展了新型闪存材料和结构体系,提出新的可靠性表征技术、失效模型和物理机理,为存储器产业发展提供关键理论和技术基础。发表SCI收录论文250多篇,两项工作列入2013年ITRS(国际半导体发展路线图)、多项工作作为典型进展被写入15本著作和40篇综述中。授权发明专利180件(含美国授权专利7件),主要专利转让/许可到多家重要集成电路企业。
陶绪堂
分会主席: 陶绪堂  山东大学晶体材料国家重点实验室主任、教授
主要从事激光、非线性光学晶体,宽禁带半导体,有机及有机-无机复合钙钛矿光电功能材料和器件的研究。参与开辟从有机-金属配合物中探索非线性光学晶体的新领域,首次生长了二氯氨基硫脲 合镉非线性光学晶体。合成并生长了非线性光学效应大,紫外截止波长短的双硫氰酸 盐系列晶体,首次在有机晶体MHBA中获得了半导体激光直接倍频 紫光输出。
郭其新
郭其新  日本国立佐贺大学同步辐射光应用研究中心主任、电气电子系教授
主要从事半导体材料制备与表征,同步辐射光应用研究。已在Nature Communications, Physical Review B, Journal of Applied Physics, Applied Physics Letters和Advanced Materials等期刊上发表SCI论文330余篇,H因子为44(Google Scholar)。
夏长泰
夏长泰  上海光学精密机械研究所研究员
我国共晶转光材料研究之先行者,正积极推进该项研究在激光照明中的应用;自2004年底,即开始了氧化镓单晶体材料之研究,他提出了氧化镓晶体材料n型半导体掺质新方案,相关工作得到了国内外同行的关注和肯定。2017年,他发起召开了我国首届海峡两岸氧化镓及其相关材料与器件研讨会,他还积极倡议:“在新时代,研究人员应提高专利意识。”
刘玉怀
刘玉怀  郑州大学教授、河南省电子材料与系统国际联合实验室国家电子材料与系统国际联合研究中心主任
研究方向为宽禁带化合物半导体材料、器件与应用系统。主持国家重点研发计划政府间科技创新专项项目;河南省高层次人才国际化培养项目:氮化物半导体材料与器件;2017年度河南省科技攻关计划(国际科技合作)支持项目 :基于氮化物半导体的高速可见光通信光源的研制;国家自然科学基金面上项目“高铟组分铟镓氮生长机理研究”;日本科技振兴机构区域振兴项目,基于氮化物半导体的太阳电池关机技术研究等。多年来致力于环保节能半导体材料与器件的研究,发表期刊论文和会议报告共165篇,EI、SCI收录40篇,国际会议邀请报告5次,日本专利公开1项,与企业合作开发的氮化物半导体紫外LED技术获得了产业化推广。
何云斌
何云斌 湖北大学材料工程学院教授
研究方向主要为宽禁带半导体薄膜及紫外光电探测器、氧化物表界面物理与化学、低维钙钛矿材料与新型光电器件等。曾作为骨干完成德国工业合作研究、欧盟国际合作优先项目、美国能源部基础研究、中国国家自然科学基金等多个项目的研究。作为负责人主持完成或在研国家自然科学基金面上(4项)、教育部博导基金、教育部留学人员回国启动基金、湖北省自然科学杰出青年基金、湖北省技术创新重大项目、企业合作项目等近20项研究。至今发表学术论文160余篇,其中120余篇被SCI收录,被SCI论文引用2300余次,H-指数:26;发表论文中含材料领域顶级期刊Nature Materials(影响因子:38.891) 1篇、综合期刊Nat. Communi.(影响因子:12.124)1篇、物理领域顶级期刊Phys. Rev. Lett.(8.462) 1篇。申请专利40余项,授权10余项。是欧洲材料学会(EMRS)、美国物理学会(APS)、中国材料学会(CMRS)、湖北省高级专家协会会员。
李强
李强  西安交通大学副教授
英国谢菲尔德大学(University of Sheffield)电子工程系访问学者。长期从事宽禁带半导体材料与器件研究,主要研究方向:氧化物半导体材料(氧化铟锡ITO)和超宽禁带半导体材料(氮化硼BN)的制备与器件应用。利用PS催化电子束蒸镀的方式制备了ITO纳米线,首次在ITO纳米线上发现了ITO材料的电阻开关特性。采用磁控溅射的方式制备hBN薄膜,并致力于hBN材料特性的表征、DBR及紫外探测器方面的研究。近年来,主持的国家及省部级项目6项,拥有国家发明专利11项,在国内外重要期刊上发表学术论文30余篇,编著有《半导体微纳制造技术及器件》(科学出版社)。
方子文
方子文  AIXTRON中国区市场营销和工艺高级部门经理
主修先进半导体沉积技术,他在AIXTRON曾担任工艺科学家,实验室部门经理等职,精通三五族化合物半导体MOCVD外延材料生长、制备和测试。其中包括硅基GaN材料用于功率及射频器件,SiC材料用于功率器件,GaAs/InP激光器,及Mini/Micro LED显示面板产品使用的外延材料。
张雷
张雷  山东大学晶体材料国家重点实验室副教授
主要从事宽禁带半导体(GaN、AlN等)晶体材料的生长及性能研究工作。近年来在Adv.?Mater.,ACS Appl. Mater. Interfaces,?J. Mater. Chem. C, Cryst. Growth Des.等期刊发表SCI论文50余篇,其中发表在,ACS Appl. Mater. Interfaces期刊上的文章被Nature Materials期刊作为Research Highlights进行了报道。近年来获得了国家自然科学基金(面上、青年)、中德博士后国际交流计划、德国亥姆霍兹国家实验室资助、中国博士后科学基金特别资助等多项国家、省部级和国外合作科研项目。申请专利16项,授权10项。2016年4月-2018年5月在德国亥姆霍兹于利希研究中心从事宽禁带半导体晶体性能研究。
 
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