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苏州晶湛半导体张丽旸:应用于Micro-LED的大尺寸GaN外延片的最新进展

放大字体  缩小字体 发布日期:2020-12-22   来源:中国半导体照明网  浏览次数:384
近日,第十七届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA 2020)暨2020国际第三代半导体论坛(IFWS 2020)在深圳会展中心举行。本届论坛由国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)、第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)主办。南方科技大学微电子学院与北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办。
张丽旸博士 代替程凯 (1)
期间,由华灿光电股份有限公司、佛山市国星光电股份有限公司、北京北方华创微电子装备有限公司共同协办的“Mini/Micro-LED及其他新型显示工程应用峰会”上,苏州晶湛半导体有限公司张丽旸博士分享了应用于Micro-LED的大尺寸GaN外延片的最新进展。


 
Micro-LED的主要挑战是成本,外延工艺要求涉及到晶圆尺寸、EPI厚度、均匀性、缺陷/颗粒、效率等方面。晶湛半导体专注于氮化镓材料外延,提供高质量晶圆片,用于光电领域。报告中分享了晶湛的技术进展。
 




 
报告指出,GaN-on-Si技术是充分利用性能和成本的最佳途径。GaN-on-Si(≥200mm)技术在微型LED显示领域有很大的发展前景。未来大规模生产需要设备制造商和epi晶圆供应商之间的合作。
 
(内容根据现场资料整理,如有出入敬请谅解)
 
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