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奥拓电子:拟2.8亿元建设总部大厦和全球研发中心

放大字体  缩小字体 发布日期:2021-03-16 来源:中国半导体照明网浏览次数:332
近日,深圳市奥拓电子股份有限公司关于投资建设公司总部大厦和全球研发中心的公告。
 
公司于2019年12月12日召开的第四届董事会第十二次会议审议通过了《关于公司参与竞拍土地使用权的议案》,同意公司以自筹资金参与竞拍位于深圳市罗湖区清水河街道的相关工业用地(新型产业用地),用于建设公司总部大厦。
 
公司于2019年12月26日竞得位于深圳市罗湖区清水河街道的相关工业用地 (新型产业用地)(宗地号:H404-0090)的土地使用权,并取得了粤(2020)深圳市不动产权第0191233号不动产权证。公司拟依托该地块的区位优势与规划前景,投资不超过2.8亿元(不含土地购买相关费用)建设总部大厦和全球研发中心。本次投资建设公司总部办公大厦和全球研发中心项目已经公司第四届董事会第二十三次会议审议通过,无需公司股东大会审议。
 
项目建设总投资不超过2.8亿元(不含土地购买相关费用),包含建筑主体工程及配套设施工程等其他费用。项目位于深圳市罗湖区清水河街道的相关工业用地(新型产业用地),土地地面积3,680.06平方米。根据初步设计方案,本项目总建筑面积约 38,703.85平方米,主要建筑功能为研发办公、商业及其他配套设施等。项目建设期预计三年,资金来源于公司自有资金或法律、行政法规允许的其他方式。
 
对于该项目,公告称公司自上市以来,业务发展较快,目前的办公场所已无法满足公司业务规模、人员对办公场所的需求,公司总部大厦和全球研发中心建成后,将使公司拥有固定的办公及相关业务开展的场所。公司总部大厦和全球研发中心的建设将有利于满足公司未来发展战略对经营场地的需求,提升公司形象和竞争优势,为公司持续稳定长期发展提供必要的保障,符合公司长期发展战略。
 
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