近日，第七届国际第三代半导体论坛暨第十八届中国国际半导体照明论坛（IFWS&SSLCHINA 2021）在深圳会展中心举行。期间，由广东中民工业技术创新研究院有限公司、中微半导体设备（上海）股份有限公司、佛山市国星光电股份有限公司、北京康美特科技股份有限公司协办支持的“Mini/Micro-LED技术产业应用论坛“上，俄罗斯STR软件集团付昊做了题为“Mini/Micro-LED 芯片设计的缩放和优化”的主题报告，详细分享了LED尺寸缩放、表面复合、用于提高光提取效率和控制发射模式的 μ-LED 芯片的成型，模拟最先进的红色 AlGaInP LED 以了解限制发射效率的主要因素等内容。
报告指出，微型和微型LED技术的发展需要现在有效且工程上采用的仿真工具来优化 μ-LED 结构和芯片设计。只有耦合的电-热-光3D建模才能充分模拟μ-LED中发生的复杂过程。表面复合是影响m-和μ-LED工作的最重要因素之一；实际上，它决定了 LED 尺寸缩放的主要趋势，包括EQE行为和设备自热。与III族氮化物相比，III族磷化物μ-LED中表面复合对发射效率的负面影响要强得多。由于成型的LED芯片而使用嵌入式微反射器是一种非常有前途的方法，可以增强μ-LED的光提取并控制其发射模式
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