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北京大学申请micro-LED芯片阵列制备方法专利,降低了micro-LED制备工艺的复杂度

放大字体  缩小字体 发布日期:2024-03-27 浏览次数:291

据国家知识产权局公告,北京大学申请一项名为“一种基于无掩模二次外延的micro-LED芯片阵列的制备方法“,公开号CN117766642A,申请日期为2023年12月。专利摘要显示,本发明公开了一种基于无掩模二次外延的microLED芯片阵列的制备方法。本发明通过对GaN模板进行干法刻蚀,形成应力弛豫图形化GaN模板,再在应力弛豫图形化GaN模板基础上选区二次外延多量子阱等结构,有效避免对多量子阱区域进行干法刻蚀,从而避免了多量子阱的侧壁刻蚀损伤;应力弛豫图形化GaN模板使得n型掺杂的GaN受到的应力得到有效弛豫;在应力弛豫图形化GaN模板上生长的预应力层,所受到的压应力得到部分弛豫,面内晶格常数得到扩张,从而减小铟并入所需要的能量,增加多量子阱中铟的并入;在制备应力弛豫图形化GaN模板中的刻蚀,使得只有GaN微米柱阵列的顶面为c面,作为生长面;选区二次外延生长,不需要额外的掩模,降低了microLED制备工艺的复杂度。

 

 
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